在近期落幕的第 37 屆功率半導(dǎo)體器件與集成電路國際會議（IEEE ISPSD 2025）上，浙江大學(xué)電氣工程學(xué)院電力電子器件實(shí)驗(yàn)室（PEDL）取得了令人矚目的成績。團(tuán)隊(duì)共有四篇論文被選為大會全體報(bào)告（Oral Session）。該核心報(bào)告數(shù)量在全球所有高校、研究機(jī)構(gòu)和企業(yè)中位居第一，充分彰顯了浙大 PEDL 團(tuán)隊(duì)在寬禁帶功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的卓越科研實(shí)力。

浙江大學(xué)電氣工程學(xué)院電力電子器件實(shí)驗(yàn)室（PEDL）取得了令人矚目的成績。團(tuán)隊(duì)共有四篇論文被選為大會全體報(bào)告（Oral Session）。該核心報(bào)告數(shù)量在全球所有高校、研究機(jī)構(gòu)和企業(yè)中位居第一，充分彰顯了浙大 PEDL 團(tuán)隊(duì)在寬禁帶功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的卓越科研實(shí)力。

第37屆功率半導(dǎo)體器件和集成電路國際會議(International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs，ISPSD)在日本熊本市（Kumamoto）舉辦。本網(wǎng)特派記者參加ISPSD2025，并在現(xiàn)場也遇見了聯(lián)盟和IFWS&SSLCHINA諸多老朋友，同時(shí)也了解了當(dāng)前最新技術(shù)&新方向，以下簡單回顧一下熱點(diǎn)走向！

市場對高效、清潔和可持續(xù)能源解決方案的需求日益增長，這推動了功率半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展，也要求人們更加關(guān)注先進(jìn)材料。在各種先進(jìn)

6月4日，中國領(lǐng)先的碳化硅(SiC)功率器件與IC解決方案供應(yīng)商瞻芯電子，在第37屆國際功率半導(dǎo)體器件和集成電路研討會（ISPSD2025）

5月23-24日， 2025功率半導(dǎo)體器件與集成電路會議（CSPSD 2025）在南京舉辦。

5月23日，2025功率半導(dǎo)體器件與集成電路會議（CSPSD）在南京熹禾涵田酒店盛大啟幕。新微半導(dǎo)體總經(jīng)理王慶宇應(yīng)邀出席，發(fā)表了題為“氮化鎵賦能未來：突破功率極限，引領(lǐng)能效革命”的主旨演講，深度解讀氮化鎵在能效領(lǐng)域的卓越優(yōu)勢

為推進(jìn)第三代半導(dǎo)體在新能源汽車領(lǐng)域的創(chuàng)新應(yīng)用，加快新能源汽車產(chǎn)業(yè)升級轉(zhuǎn)型，第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟聯(lián)合廣東芯聚能

5月22-24日， “2025功率半導(dǎo)體器件與集成電路會議（CSPSD 2025）”將于南京舉辦。東南大學(xué)副教授魏家行將受邀出席會議，并帶來《碳化硅功率MOSFET關(guān)鍵技術(shù)新進(jìn)展》的主題報(bào)告，報(bào)告將從產(chǎn)品結(jié)構(gòu)、制造工藝、可靠性、典型應(yīng)用等方面出發(fā)，介紹當(dāng)下SiC功率MOSFET器件關(guān)鍵技術(shù)的最新進(jìn)展，并對未來的發(fā)展趨勢做出展望，敬請關(guān)注！

5月22-24日，“2025功率半導(dǎo)體器件與集成電路會議（CSPSD 2025）”將于南京舉辦。江蘇超芯星半導(dǎo)體有限公司將亮相此次會議。值此，誠摯邀請第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)同仁共聚論壇，蒞臨展位參觀交流、洽談合作。

5月22-24日，“2025功率半導(dǎo)體器件與集成電路會議（CSPSD 2025）”將于南京舉辦。北京國聯(lián)萬眾半導(dǎo)體科技有限公司將攜多款產(chǎn)品亮相此次會議。值此，誠摯邀請第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)同仁共聚論壇，蒞臨展位參觀交流、洽談合作。

5月22-24日， “2025功率半導(dǎo)體器件與集成電路會議（CSPSD 2025）”將于南京舉辦。期間，揚(yáng)州揚(yáng)杰電子科技股份有限公司將攜多款產(chǎn)品亮相此次會議。值此，誠摯邀請第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)同仁共聚論壇，蒞臨展位參觀交流、洽談合作。

5月22-24日，“2025功率半導(dǎo)體器件與集成電路會議（CSPSD 2025）”將于南京舉辦。期間，深圳市矢量科學(xué)儀器有限公司將攜多款產(chǎn)品亮相此次展會。值此，誠摯邀請第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)同仁共聚論壇，蒞臨展位參觀交流、洽談合作。

詳細(xì)日程| 2025功率半導(dǎo)體器件與集成電路會議（CSPSD 2025）5月22-24日南京見!

5月22-24日， “2025功率半導(dǎo)體器件與集成電路會議（CSPSD 2025）”將于南京舉辦。復(fù)旦大學(xué)上海碳化硅中心副主任劉盼將受邀出席會議，并帶來《1200V IGBT與SiC MOSFET的短路性能對比研究》的主題報(bào)告，將分享最新研究進(jìn)展，敬請關(guān)注！

5月22-24日，2025功率半導(dǎo)體器件與集成電路會議（CSPSD 2025）將于南京舉辦。中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)教授楊樹將受邀出席會議，并帶來《高壓低阻垂直型GaN功率電子器件研究》的主題報(bào)告，將分享最新研究進(jìn)展，敬請關(guān)注！

5月22-24日， “2025功率半導(dǎo)體器件與集成電路會議（CSPSD 2025）”將于南京舉辦。北京國聯(lián)萬眾半導(dǎo)體科技有限公司總經(jīng)理助理王川寶將受邀出席論壇，并帶來《SiC基GaN射頻芯片與電力電子芯片技術(shù)》的大會報(bào)告，

5月22-24日， “2025功率半導(dǎo)體器件與集成電路會議（CSPSD 2025）”將于南京舉辦。北京智慧能源研究院功率半導(dǎo)體研究所測試研究室主任陳中圓將受邀出席論壇，并帶來《基于正向壓降表征的碳化硅MOSFET結(jié)溫測量方法研究》的大會報(bào)告，分享最新研究成果，敬請關(guān)注！

揚(yáng)杰科技SiC車規(guī)級功率半導(dǎo)體模塊封裝項(xiàng)目開工。

5月22-24日， “2025功率半導(dǎo)體器件與集成電路會議（CSPSD 2025）”將于南京舉辦。屆時(shí)，中國科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所研究員程新紅將受邀出席論壇，并帶來《寬禁帶半導(dǎo)體3D集成技術(shù)》的主題報(bào)。報(bào)告將圍繞材料異質(zhì)集成、器件3D集成與功能模塊3D集成三大方向展開分析，分享最新研究成果，敬請關(guān)注！