近日，中科無(wú)線半導(dǎo)體有限公司宣布，其基于氮化鎵（GaN）HEMT工藝的機(jī)器人關(guān)節(jié)ASIC驅(qū)動(dòng)器芯片已正式推出并商用，是專業(yè)為具身機(jī)

中國(guó)科學(xué)院蘇州納米所孫錢研究員團(tuán)隊(duì)與土耳其博盧阿巴特伊茲特貝薩爾大學(xué)Yilmaz Ercan教授團(tuán)隊(duì)展開(kāi)聯(lián)合攻關(guān)，成功開(kāi)發(fā)出基于常關(guān)型GaN高電子遷移率晶體管（HEMT）的高性能紫外探測(cè)器，顯著提升了響應(yīng)度、紫外-可見(jiàn)截止比、響應(yīng)速度，為智能傳感、環(huán)境監(jiān)測(cè)等領(lǐng)域提供了創(chuàng)新解決方案。該系列研究工作發(fā)表于ACS Photonics11, 180 (2024)、Applied Physics Letters 126, 192101 (2025)、IEEE Transactions on Electron Dev

5月23日，2025功率半導(dǎo)體器件與集成電路會(huì)議（CSPSD）在南京熹禾涵田酒店盛大啟幕。新微半導(dǎo)體總經(jīng)理王慶宇應(yīng)邀出席，發(fā)表了題為“氮化鎵賦能未來(lái)：突破功率極限，引領(lǐng)能效革命”的主旨演講，深度解讀氮化鎵在能效領(lǐng)域的卓越優(yōu)勢(shì)

近日，澳大利亞激光公司BluGlass展示了其單模氮化鎵（GaN）激光器：?jiǎn)蝹€(gè)激光芯片成功實(shí)現(xiàn)1250mW的功率輸出，且同時(shí)維持單空間模

5月16日，華潤(rùn)微電子功率器件事業(yè)群潤(rùn)新微電子在大連舉辦氮化鎵億顆芯片慶典暨外延生產(chǎn)基地通線儀式。華潤(rùn)微電子副總裁莊恒前強(qiáng)

近期，寬禁帶半導(dǎo)體國(guó)家工程研究中心郝躍院士、馬曉華教授團(tuán)隊(duì)在氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）領(lǐng)域取得重要突破，成

4月16日，美國(guó)Polar Semiconductor公司宣布與日本瑞薩電子株式會(huì)社（簡(jiǎn)稱瑞薩電子）達(dá)成戰(zhàn)略協(xié)議，獲得其硅基氮化鎵（GaN-on-Si

氮化鎵（GaN）晶體作為第三代寬禁帶半導(dǎo)體的代表性材料，具有帶隙寬、擊穿電壓高、熱導(dǎo)率高、抗輻射能力強(qiáng)等優(yōu)異性能，在藍(lán)綠激

納微半導(dǎo)體今日宣布其高功率旗艦GaNSafe氮化鎵功率芯片已通過(guò)AEC-Q100和AEC-Q101兩項(xiàng)車規(guī)認(rèn)證，這標(biāo)志著氮化鎵技術(shù)在電動(dòng)汽車市

YS/T 1654-2023《氮化鎵化學(xué)分析方法 痕量雜質(zhì)元素含量的測(cè)定 輝光放電質(zhì)譜法》標(biāo)準(zhǔn)解讀國(guó)標(biāo)（北京）檢驗(yàn)認(rèn)證有限公司劉紅一、

英諾賽科(02577.HK)公告，公司發(fā)布了自主開(kāi)發(fā)的1200V氮化鎵(GaN)產(chǎn)品，該款產(chǎn)品憑藉寬禁帶特性，在高壓高頻場(chǎng)景優(yōu)勢(shì)顯著，具備零

國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局信息顯示，江西譽(yù)鴻錦材料科技有限公司取得一項(xiàng)名為種亞垂直結(jié)構(gòu)氮化鎵肖特基勢(shì)壘二極管及其制造方法的專利，授權(quán)

服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體（簡(jiǎn)稱ST）與8英寸高性能低成本硅基氮化鎵（GaN-on-Si）制造全球領(lǐng)軍

國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局信息顯示，鎵特半導(dǎo)體科技（銅陵）有限公司取得一項(xiàng)名為一種HVPE大尺寸氮化鎵晶圓鎵舟反應(yīng)器的專利，授權(quán)公告號(hào)CN

氮化鎵（GaN）正在重塑半導(dǎo)體行業(yè)游戲規(guī)則。近日，九峰山實(shí)驗(yàn)室已從材料、器件到產(chǎn)業(yè)應(yīng)用取得一系列突破性成果。九峰山實(shí)驗(yàn)室8英

近日，九峰山實(shí)驗(yàn)室科研團(tuán)隊(duì)在全球首次實(shí)現(xiàn)8英寸硅基氮極性氮化鎵（N-polar GaNOI）高電子遷移率材料的制備。該成果將助力射頻前

九峰山實(shí)驗(yàn)室GaN系列成果首次重磅發(fā)布！在顛覆性材料、器件及設(shè)計(jì)創(chuàng)新、系統(tǒng)級(jí)應(yīng)用創(chuàng)新方面，重磅發(fā)布國(guó)際首創(chuàng)8英寸硅基氮極性氮化鎵襯底（N-polar GaNOI）、全國(guó)首個(gè)100nm高性能氮化鎵流片PDK平臺(tái)、動(dòng)態(tài)遠(yuǎn)距離無(wú)人終端無(wú)線能量傳輸完成示范驗(yàn)證。

國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局信息顯示，安徽格恩半導(dǎo)體有限公司申請(qǐng)一項(xiàng)名為一種氮化鎵基化合物半導(dǎo)體激光器的專利，公開(kāi)號(hào)CN 119627617 A，申

國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局信息顯示，廣東芯賽威科技有限公司取得一項(xiàng)名為電源管理芯片及電源管理電路的專利，授權(quán)公告號(hào) CN 222563696 U，

3月10日，上海新微半導(dǎo)體有限公司（簡(jiǎn)稱新微半導(dǎo)體）正式推出650V硅基氮化鎵增強(qiáng)型（E-mode）功率工藝代工平臺(tái)。該平臺(tái)憑借高頻