以碳化硅、氮化鎵等重要的第三代半導體材料，在大功率高頻器件中具有重要的應用。材料水平直接決定了器件的性能。對作為新材料的

氮化鎵(GaN)是一種很有前途的硅替代半導體，廣泛應用于光電子和電子技術。然而，GaN表面的脆弱性是阻礙GaN基器件發展的關鍵限制

核心提示：由深圳智芯微電子科技有限公司牽頭制定，遵循CASAS（第三代半導體產業技術戰略聯盟）標準制定流程，經過標準起草小組會議討論

　　香港特區政府12月22日發表《創新科技發展藍圖》，提出推動新型工業化，具體列舉了半導體芯片及新能源汽車產業。香港創新科技

據外媒報道，工程研究人員發明了新型高功率電子設備，比以前的技術更節能。這種裝置通過一種以受控方式摻雜氮化鎵（GaN）的獨特

越來越多的人在使用手機快充充電器的時候可能不經意間會發現氮化鎵（GaN）這個專業名詞，實際上，正是氮化鎵這一第三代半導體材

如果稍稍關心電子數碼產品，氮化鎵這3個字，想必你已經聽得耳朵起繭子了。從2年前被小米拿來當做王牌賣點大肆宣傳的新貴，到現在

好消息！強芯沙龍第二期來襲！云端論劍·創“芯”之道——第三代半導體產業發展策略沙龍將于6月22日（本周三）15:00開播，本期將聚焦：氮化鎵功率半導體材料與器件！

據悉，長電科技今日在投資者互動平臺表示，公司同時具備碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)芯片封裝和測試能力，目前已在光伏和車用充電樁出貨第三代半導體封測產品。

近日，氮化鎵芯片領先企業珠海鎵未來科技有限公司（以下簡稱“鎵未來”）宣布完成近億元A+輪融資。

對于任何半導體來說，封裝對于電氣隔離、產品穩健性和熱管理都很重要。尤其是對于功率半導體來說，這是至關重要的。

高新區管委會與位于臺灣的欣憶電子股份有限公司通過視頻連線召開海峽兩岸項目推進會，就第三代半導體六英寸氮化鎵項目推進開展“云洽談”。這個亞太地區半導體設備商的領頭羊即將把16億元的項目放到漓東這片熱土上。

諾賽科（蘇州）半導體有限公司氮化鎵項目正在快馬加鞭推進，目前主體廠房施工已完成，計劃于今年底試產，滿產后有望實現年銷售收入100億元。

氮化鎵射頻及功率器件項目樁基開工。這個項目總投資25億元，占地111.35畝，分兩期實施，全部達產后預計實現年銷售30億元以上，可進一步推動嘉興集成電路新一代半導體產業。

　第三代半導體產業技術研究院是總投資25億元的博方嘉芯氮化鎵射頻及功率器件項目快速推進的又一大重要舉措，該項目已于本月3日在2020年一季度重大項目集中開竣工活動期間順利開工。