第九屆國(guó)際第三代半導(dǎo)體論壇（IFWS）第二十屆中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體照明論壇（SSLCHINA）將于2023年11月27-30日在廈門國(guó)際會(huì)議中心召開(kāi)

第九屆國(guó)際第三代半導(dǎo)體論壇（IFWS）第二十屆中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體照明論壇（SSLCHINA）將于2023年11月27-30日在廈門國(guó)際會(huì)議中心召開(kāi)

2023年11月27-30日，第九屆國(guó)際第三代半導(dǎo)體論壇（IFWS）第二十屆中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體照明論壇（SSLCHINA）將于廈門國(guó)際會(huì)議中心召開(kāi)

當(dāng)前第三代半導(dǎo)體繼往開(kāi)來(lái)進(jìn)入新的發(fā)展階段，人工智能、數(shù)字信息時(shí)代將為產(chǎn)業(yè)發(fā)展帶來(lái)動(dòng)態(tài)且多樣復(fù)雜的機(jī)遇和挑戰(zhàn)。新科技時(shí)代背

半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)消息 第九屆國(guó)際第三代半導(dǎo)體論壇（IFWS）第二十屆中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體照明論壇（SSLCHINA）將于2023年11月27-30日在廈門

敢字為先，謀封測(cè)產(chǎn)業(yè)新發(fā)展。第21屆中國(guó)半導(dǎo)體封裝測(cè)試技術(shù)與市場(chǎng)年會(huì)于10月26日在江蘇昆山盛大開(kāi)幕。中國(guó)科學(xué)院院士、國(guó)家自然

半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)消息 第九屆國(guó)際第三代半導(dǎo)體論壇（IFWS）第二十屆中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體照明論壇（SSLCHINA）將于2023年11月27-30日在廈門

半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)消息 第九屆國(guó)際第三代半導(dǎo)體論壇（IFWS）第二十屆中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體照明論壇（SSLCHINA）將于2023年11月27-30日在廈門

第九屆國(guó)際第三代半導(dǎo)體論壇（IFWS）&第二十屆中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體照明論壇（SSLCHINA）將于2023年11月27-30日于廈門國(guó)際會(huì)議中心召開(kāi)。目前論壇征文活動(dòng)進(jìn)入尾聲階段，論文擴(kuò)展摘要&全文提交將于10月20日截至。請(qǐng)有意愿投稿者務(wù)必盡早提交。

第九屆國(guó)際第三代半導(dǎo)體論壇（IFWS）&第二十屆中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體照明論壇（SSLCHINA）將于2023年11月27-30日于廈門國(guó)際會(huì)議中心召開(kāi)。組委會(huì)結(jié)合高校院所實(shí)際情況，積極采納專家學(xué)者的建議，以及各高校學(xué)生投稿時(shí)間的需求，決定將論文擴(kuò)展摘要&全文提交截止日期延至10月20日。請(qǐng)有投稿意愿的投稿者務(wù)必于截止日前提交論文摘要。

9月19日，以半導(dǎo)體設(shè)備與新材料為主題的產(chǎn)學(xué)研對(duì)接會(huì)在北京大學(xué)東莞光電研究院（下稱北大光電院）召開(kāi)。來(lái)自激光器、Micro LED、

9月15日，東科半導(dǎo)體（安徽）股份有限公司與北京大學(xué)共同組建的第三代半導(dǎo)體聯(lián)合研發(fā)中心正式揭牌成立。由北京大學(xué)科學(xué)研究部謝

走進(jìn)光子信息與能源材料研究中心（以下簡(jiǎn)稱研究中心），一臺(tái)臺(tái)先進(jìn)增材制造的中小試設(shè)備正高效運(yùn)行，而在不久的將來(lái)該研究中心先

9月6-8日，三安半導(dǎo)體攜碳化硅全產(chǎn)業(yè)鏈產(chǎn)品亮相SEMICONTaiwan2023，成功吸引行業(yè)關(guān)注，展示公司在第三代半導(dǎo)體研發(fā)和商業(yè)化進(jìn)程

9月6日，第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新發(fā)展大會(huì)在南京市江寧開(kāi)發(fā)區(qū)舉行。國(guó)家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心（南京）一期項(xiàng)目竣工投產(chǎn)。國(guó)家第

走進(jìn)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈鏈主企業(yè)山西爍科晶體有限公司小晶片釋放大能量一排排3米多高的碳化硅單晶生長(zhǎng)設(shè)備整齊排列，設(shè)備內(nèi)部超

9月2日），蘇州工業(yè)園區(qū)在桑田科學(xué)島舉辦國(guó)家生物藥技術(shù)創(chuàng)新中心、國(guó)家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心（蘇州）總部大樓開(kāi)工儀式。江蘇

該項(xiàng)目總投資預(yù)計(jì)超過(guò)200億元，其中項(xiàng)目一期總投資100億元，可年產(chǎn)36萬(wàn)片SiC MOSFET晶圓，包括外延、器件設(shè)計(jì)、晶圓制造、封裝等。

半導(dǎo)體照明網(wǎng)消息：第九屆國(guó)際第三代半導(dǎo)體論壇（IFWS）第二十屆中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體照明論壇（SSLCHINA）將于2023年11月27-30日于廈

以氮化鎵、碳化硅等為代表的第三代半導(dǎo)體材料正迎來(lái)廣闊的發(fā)展前景，成為全球的機(jī)會(huì)和關(guān)注焦點(diǎn)。碳化硅作為第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展