第37屆功率半導體器件和集成電路國際會議(International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs，ISPSD)在日本熊本市（Kumamoto）舉辦。本網(wǎng)特派記者參加ISPSD2025，并在現(xiàn)場也遇見了聯(lián)盟和IFWS&SSLCHINA諸多老朋友，同時也了解了當前最新技術&新方向，以下簡單回顧一下熱點走向！

第十一屆國際第三代半導體論壇（IFWS）&第二十二屆中國國際半導體照明論壇（SSLCHINA）將于2025年11月12-14日在廈門召開。

近日，遼寧國瑞新材料有限公司（簡稱國瑞新材）完成數(shù)億元B輪融資，此次融資由深創(chuàng)投、華映資本、國泰君安創(chuàng)新投、眾行資本、中

第三代等先進半導體產(chǎn)業(yè)標準化廠房項目（二期）目前正全力推進中，預計今年7月底完工。

為推進第三代半導體在新能源汽車領域的創(chuàng)新應用，加快新能源汽車產(chǎn)業(yè)升級轉(zhuǎn)型，第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟聯(lián)合廣東芯聚能

5月22-24日，“2025功率半導體器件與集成電路會議（CSPSD 2025）”將于南京舉辦。江蘇超芯星半導體有限公司將亮相此次會議。值此，誠摯邀請第三代半導體產(chǎn)業(yè)同仁共聚論壇，蒞臨展位參觀交流、洽談合作。

5月22-24日，“2025功率半導體器件與集成電路會議（CSPSD 2025）”將于南京舉辦。北京國聯(lián)萬眾半導體科技有限公司將攜多款產(chǎn)品亮相此次會議。值此，誠摯邀請第三代半導體產(chǎn)業(yè)同仁共聚論壇，蒞臨展位參觀交流、洽談合作。

5月22-24日， “2025功率半導體器件與集成電路會議（CSPSD 2025）”將于南京舉辦。期間，揚州揚杰電子科技股份有限公司將攜多款產(chǎn)品亮相此次會議。值此，誠摯邀請第三代半導體產(chǎn)業(yè)同仁共聚論壇，蒞臨展位參觀交流、洽談合作。

5月22-24日，“2025功率半導體器件與集成電路會議（CSPSD 2025）”將于南京舉辦。期間，深圳市矢量科學儀器有限公司將攜多款產(chǎn)品亮相此次展會。值此，誠摯邀請第三代半導體產(chǎn)業(yè)同仁共聚論壇，蒞臨展位參觀交流、洽談合作。

4月23-25日，2025九峰山論壇（JFSC）暨化合物半導體產(chǎn)業(yè)博覽會（CSE）在中國·武漢光谷科技會展中心盛大召開。會議匯聚兩院院士、行業(yè)領袖、企業(yè)代表、專業(yè)觀眾等，聚焦第三代半導體材料、光電子技術、功率電子、異質(zhì)集成等前沿領域，其中人工智能（AI）作為核心驅(qū)動力，貫穿多個技術分支。

2025年4月29日，由第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟編寫的《第三代半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展報告（2023）》（以下簡稱“報告”）在全體成員積極參與下，在廣大專家支持把關下，重磅發(fā)布！

4月23日，《2024年度產(chǎn)業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟活躍度評價報告》發(fā)布會在北京舉行。第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟獲得2024年度活

2025年4月23日，在第三屆九峰山論壇(JFSC)暨化合物半導體產(chǎn)業(yè)博覽會(CSE)期間，第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）（以下

智匯光谷、激活未來，4月23日上午，2025九峰山論壇暨化合物半導體產(chǎn)業(yè)博覽會在光谷開幕。論壇由第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)

2025年4月15日，按照第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟標準化委員會（CASAS）相關管理辦法，經(jīng)CASAS管理委員會投票通過由忱芯科

2025年4月15日，按照第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟標準化委員會（CASAS）相關管理辦法，經(jīng)CASAS管理委員會投票通過由杭州飛

2025年4月15日，按照第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟標準化委員會（CASAS）相關管理辦法，經(jīng)CASAS管理委員會投票通過由上海交

氮化鎵（GaN）晶體作為第三代寬禁帶半導體的代表性材料，具有帶隙寬、擊穿電壓高、熱導率高、抗輻射能力強等優(yōu)異性能，在藍綠激

全文刊載于《前瞻科技》2025年第1期新材料前沿：技術創(chuàng)新與未來展望，點擊文末閱讀原文獲取全文。趙璐冰-副研究員-第三代半導體

4月23日至25日，由第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟、九峰山實驗室聯(lián)合主辦的第三屆九峰山論壇（JFSC）暨化合物半導體產(chǎn)業(yè)博覽會（CSE）將以“激活未來”為主題，呈現(xiàn)全球化合物半導體產(chǎn)業(yè)取得的創(chuàng)新成就，描繪被化合物半導體重塑的未來生活圖景。