國家知識產權局信息顯示，格蘭菲智能科技股份有限公司申請一項名為“功率半導體器件結構及其制備方法”的專利，公開號 CN 118748202 A，申請日期為2024年7月。
專利摘要顯示，本申請涉及一種功率半導體器件結構及其制備方法。該結構包括：襯底，其中，襯底被劃分為元胞區和終端區，終端區位于元胞區的外圍；主結結構，位于襯底的第一側且位于元胞區內多個場環結構位于襯底的第側且位于終端區內，多個場環結構包括多個場限環和至少一個截止環。至少一個截止溝槽，位于襯底的第一側、且在第一方向上位于相鄰的場限環和截止環之間，截止溝槽內填充有電極材料。通過設計截止溝槽，且截止溝槽內填充有電極材料，截止溝槽結構能夠等同于一個電極，實現電場的截止，因此可以縮短最外圍的一個場限環和截止環之間的距離，進而有利于終端區的面積的縮小，便于實現功率半導體器件的小型化、集成化設計。