國家知識產權局信息顯示，江蘇集芯先進材料有限公司申請一項名為“大尺寸碳化硅晶體生長坩堝及生長裝置”的專利，公開號CN 118756340 A，申請日期為2024年5月。
專利摘要顯示，本發明公開了一種大尺寸碳化硅晶體生長坩堝及生長裝置，生長坩堝包括外坩堝組件和內坩堝組件，所述外坩堝組件形成有密封的第一容納腔；所述內坩堝組件形成有第二容納腔，所述內坩堝組件設于所述第一容納腔內，所述內坩堝組件的頂部設有連通所述第二容納腔和所述第一容納腔的貫穿孔；所述內坩堝組件能夠根據生長階段調節其內部氣相組分的流動方向，以使氣相組分持續穩定的均勻分布所述外坩堝組件內側壁正對所述貫穿孔的側設有第一石墨紙。根據本發明的大尺寸碳化硅晶體生長坩堝，能夠自動調節其內部氣相組分的流動方向，以使氣相組分持續穩定的均勻分布，保證晶體中心位置和外側邊緣的生長速率相一致，有效避免大尺寸晶體的凸度問題。