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廣東氣派科技申請(qǐng) MOSFET 的封裝結(jié)構(gòu)專利,采用封裝結(jié)構(gòu)得到的 MOSFET 散熱性能佳

發(fā)表于:2024-10-25 來(lái)源:半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng) 編輯:

國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局信息顯示,廣東氣派科技有限公司申請(qǐng)一項(xiàng)名為“一種 MOSFET 的封裝結(jié)構(gòu)”的專利,公開(kāi)號(hào) CN 118763060 A,申請(qǐng)日期為 2024 年 9 月。

專利摘要顯示,本發(fā)明提供了一種 MOSFET 的封裝結(jié)構(gòu),其包括 MOSFET 芯片、包覆所述 MOSFET 芯片的塑封體、設(shè)置于所述塑封體頂部的散熱片、從所述塑封體頂部一側(cè)引出且與所述散熱片相連接的漏極引腳、設(shè)置于所述漏極引腳對(duì)側(cè)且從所述塑封體頂部引出的柵極引腳和源極引腳,所述漏極引腳、所述柵極引腳和所述源極引腳都向所述塑封體底部方向延伸并彎折成鷗翼形狀采用本發(fā)明的 MOSFET 的封裝結(jié)構(gòu)得到的 MOSFET 可適應(yīng)多種安裝方式并且散熱性能佳。

 

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