國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示，漢斯半導(dǎo)體（江蘇）有限公司取得一項(xiàng)名為“一種 IGBT 模塊封裝外殼拋光裝置”的專利，授權(quán)公告號 CN 221871557 U，申請日期為 2024 年 1 月。
專利摘要顯示，本實(shí)用新型提供一種 IGBT 模塊封裝外殼拋光裝置，包括：拋光主體，拋光主體頂部設(shè)置有帶動 IGBT 模塊封裝外殼縱向移動的縱向電缸，拋光主體頂部設(shè)置有安裝座，安裝座內(nèi)部設(shè)置有拋光輪，安裝座內(nèi)部設(shè)置有用于帶動拋光輪對 IGBT 模塊封裝外殼進(jìn)行拋光的驅(qū)動組件；縱向電缸的移動塊上設(shè)置有支撐座，支撐座內(nèi)部設(shè)置有轉(zhuǎn)動電機(jī)，轉(zhuǎn)動電機(jī)的輸出軸上設(shè)置有置于支撐座上方的轉(zhuǎn)盤，轉(zhuǎn)盤頂部設(shè)置有用于放置 IGBT 模塊封裝外殼的定位槽，支撐座頂部對稱設(shè)置有一對置于轉(zhuǎn)盤兩側(cè)的第二電動推桿，一對第二電動推桿的伸縮軸上均設(shè)置有用于對定位槽內(nèi)部放置的 IGBT 模塊封裝外殼進(jìn)行按壓的壓板，本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)合理，節(jié)約時間，拋光效率高。