國家知識產權局信息顯示，長鑫存儲技術有限公司申請一項名為“半導體結構及制備方法”的專利，公開號CN 118829192 A，申請日期為2023年4月。
專利摘要顯示，本公開實施例涉及半導體領域，提供一種半導體結構及制備方法，半導體結構包括：基底，基底內具有沿第一方向延伸的位線；半導體柱，半導體柱位于基底內，半導體柱與位線電連接；半導體柱包括溝道區以及位于溝道區兩側的兩個摻雜區，兩個摻雜區的其中一摻雜區與位線電連接；溝道區在兩個摻雜區的每一摻雜區的正投影均位于每一摻雜區內字線字線沿第二方向延伸，字線位于基底內，字線環繞溝道區；存儲結構，存儲結構位于基底上，存儲結構與兩個摻雜區的另一摻雜區電連接；其中，第一方向與第二方向相交。公開的半導體結構至制備方法至少可以提高集成電路的存儲密度。