天眼查顯示，蘇州長光華芯半導(dǎo)體激光創(chuàng)新研究院有限公司近日取得一項(xiàng)名為“半導(dǎo)體材料生長速率的測(cè)試方法”的專利，授權(quán)公告號(hào)為CN118168882B，授權(quán)公告日為2024年10月11日，申請(qǐng)日為2024年5月14日。
本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體材料生長速率的測(cè)試方法，包括：對(duì)半導(dǎo)體襯底層進(jìn)行刻蝕之后，在半導(dǎo)體襯底層的表面交替外延第一半導(dǎo)體層和第二半導(dǎo)體層，第一半導(dǎo)體層和第二半導(dǎo)體層均包括相同的主半導(dǎo)體材料；第一半導(dǎo)體層的導(dǎo)電類型和第二半導(dǎo)體層的導(dǎo)電類型不同；或者，第一半導(dǎo)體層還包括第一摻雜離子，第二半導(dǎo)體層還包括第二摻雜離子，第一摻雜離子的濃度和第二摻雜離子的濃度不同；沿晶向進(jìn)行切割，形成切割面；對(duì)切割面進(jìn)行顯微鏡測(cè)試，獲取不同晶向?qū)?yīng)的第一半導(dǎo)體層和/或第二半導(dǎo)體層的測(cè)試厚度；根據(jù)不同晶向?qū)?yīng)的測(cè)試厚度、以及第一半導(dǎo)體層和/或第二半導(dǎo)體層的外延時(shí)間獲取不同晶向的生長速率。