國家知識產權局信息顯示，聯華電子股份有限公司申請一項名為“半導體結構以及其形成方法”的專利，公開號CN 118900619 A，申請日期為2023年5月。
專利摘要顯示，本發明提供一種半導體結構以及其形成方法，其中該半導體結構包含多個MTJ(Magnetic tunnel junctions，磁性隧穿結) 元件，從一俯視圖來看，多個MTJ元件排列成一陣列，至少一第二接觸結構，位于MTJ元件所排成的陣列之中，至少一第一掩模層，覆蓋于各MTJ元件的一頂面與兩側壁，其中從一剖面圖來看，第一掩模層的一斷面側壁與第二接觸結構下方的一第二金屬層的一側壁切齊。