據媒體報道，近日，三安光電董事、副總經理林志東在受訪時表示，三安光電正在加快發展第三代化合物半導體產業，今年三安光電砷化鎵射頻平均稼動率創新高，高峰時達到95%，公司已完成月產能2萬片的擴建。
據悉，三安光電與意法半導體于去年在重慶共同設立了安意法半導體有限公司，主要從事碳化硅外延、芯片的生產和銷售，三安光電方面持有合資公司51%股權。三安意法半導體項目總投資約300億元，計劃建設一個技術先進的8英寸碳化硅襯底和晶圓工廠，全面整合了8吋車規級碳化硅的襯底、外延、芯片的研發制造，以及為其提供碳化硅襯底的材料供應商。項目達產后將建成全國首條8吋碳化硅襯底和晶圓制造線，具備年產48萬片8吋碳化硅襯底、車規級MOSFET功率芯片的制造能力，預計營收將達170億人民幣。
對于重慶的碳化硅項目進度，林志東透露：“我們現在設備進場，然后做工藝驗證，因為它是國內中西部地區第一條完整的8英寸碳化硅產線，從安裝到測試，到規模量產，我們計劃明年通線并開始小規模量產。”
據了解，三安光電是國內唯一具備大規模量產氮化鎵/砷化鎵射頻芯片制造平臺，是國內首家SAW（表面聲波濾波器）濾波器垂直產業鏈整合制造平臺，以及是全球第三家、中國第一家第三代碳化硅6英寸、8英寸功率芯片垂直產業鏈整合制造平臺。