華為申請碳化硅襯底制備方法專利，使碳化硅襯底內部應力分布均勻

 國家知識產權局信息顯示，華為技術有限公司申請一項名為“碳化硅襯底及其制備方法、半導體器件、電子設備”的專利，公開號 CN 119153493 A，申請日期為 2023 年 6 月。專利摘要顯示，本申請公開一種碳化硅襯底及其制備方法、半導體器件、電子設備。碳化硅襯底，包括：第一表面、與第一表面相對設置的第二表面。而本申請公開的碳化硅襯底，可以實現兩個測試點的應力之差小于或等于 35Mpa，使碳化硅襯底具有較小的應力差，以使得碳化硅襯底內部的應力分布均勻。另外，本申請公開的碳化硅襯底還可以實現一個測試點的應力絕對值小于或等于 30Mpa，使得碳化硅襯底具有較小的應力。基于此，將本申請公開的具有較小應力、且內部應力分布均勻的碳化硅襯底應用在半導體器件中，可以使半導體器件具有較高的良率。