國家知識產權局信息顯示，廣州華瑞升陽投資有限公司申請一項名為“寬禁帶半導體器件”的專利，公開號 CN 119170634 A，申請日期為2024年8月。
專利摘要顯示，本發明公開了一種寬禁帶半導體功率器件，包括至少一個元胞結構，元胞結構包括：襯底；寬禁帶半導體層，設于襯底之上；若干源極溝槽和柵極溝槽，均平行分布于寬禁帶半導體層，且兩者間隔設置；源區，設于源、柵極溝槽之間的寬禁帶半導體層中；第一源電極，設于源極溝槽內，在源極溝槽側壁與寬禁帶半導體層形成肖特基接觸；柵電極，設于柵極溝槽內；柵介質層，包圍柵電極；第二源電極，設于第一源電極之上，并與源區形成歐姆接觸；電場調整區，設于至少一個第一源電極下方，用于調整源極溝槽間電場線分布；漏電極，設于襯底下面；其中，源極溝槽在垂直方向上的延伸長度超過柵極溝槽。本發明能降低寬禁帶半導體器件導通損耗和柵介質層擊穿風險。