據天眼查顯示，上海華虹宏力半導體制造有限公司“提升芯片良率和可靠性的方法”專利公布，申請公布日為2024年12月31日，申請公布號為CN119229936A。
本發明提供一種提升芯片良率和可靠性的方法，提供至少一個lot的晶圓，晶圓包括多個芯片，各個芯片上包含有多個包括閃存的存儲單元；進行晶圓接受測試，記錄每片晶圓的存儲單元為編程狀態時的閾值電壓；把lot的編號、晶圓的編號以及對應的晶圓的存儲單元為編程狀態時的閾值電壓生成附加文件；進行良率測試和編程電壓調整：將附加文件代入第一良率測試，在一良率測試中繼承晶圓的存儲單元為編程狀態時的閾值電壓作為參數進入之后的編程電壓調整流程；進行編程電壓調整流程；進行第二良率測試，在第二良率測試中根據測試結果調整閾值電壓的調整公式。本發明能夠根據工藝差異微調編程條件，以獲得最適合的工作條件，提升良率和可靠性。