以SiC MOSFET和GaN HEMT為代表的第三代功率半導(dǎo)體器件為電力電子變換器的高頻化、高密度、高效率提供了可能，正在取代硅基器件成為現(xiàn)代國防裝備、數(shù)據(jù)中心、新能源、儲能等領(lǐng)域的首選。?
2025年2月26-28日，”2025功率半導(dǎo)體制造及供應(yīng)鏈高峰論壇”將在重慶融創(chuàng)施柏閣酒店舉辦。本次論壇由第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）與三安光電股份有限公司共同主辦，極智半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)（www.casmita.com）、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)、重慶三安半導(dǎo)體有限責(zé)任公司、北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進中心有限公司承辦，重慶郵電大學(xué)、重慶大學(xué)、湖南三安半導(dǎo)體有限責(zé)任公司等單位協(xié)辦。?
西南交通大學(xué)集成電路科學(xué)與工程/電氣工程學(xué)院、教授/博導(dǎo)馬紅波受邀將出席論壇，并帶來《基于SiC MOSFET/GaN HEMT的高頻、高效電能變換與應(yīng)用》的主題報告。報告將結(jié)合其研究團隊多年來在寬禁帶器件方面的應(yīng)用經(jīng)驗，面向數(shù)據(jù)中心、無線傳能、航空航天等領(lǐng)域，從變換架構(gòu)、軟開關(guān)拓撲、控制方法、數(shù)字控制等方面介紹基于SiC MOSFET/GaN HEMT的高頻、高效電力電子變換器設(shè)計，并指出其中的設(shè)計關(guān)鍵和考量。更多報告詳情，敬請關(guān)注！
嘉賓簡介
馬紅波
西南交通大學(xué)集成電路科學(xué)與工程/電氣工程學(xué)院、教授/博導(dǎo)
馬紅波，教授/博導(dǎo)，四川省學(xué)術(shù)與技術(shù)帶頭人后備人選，IEEE Member, 美國電源協(xié)會PSMA會員, 中國電源學(xué)會高級會員, 中國電源學(xué)會照明專委會委員，中國電源學(xué)會無線電能傳輸技術(shù)與裝置專委會委員，JKW 173計劃重點項目專家，四川省電源學(xué)會理事, 成都市科技項目(重點)評審專家，成都市電動汽車無線充電系統(tǒng)標(biāo)準(zhǔn)評審專家組成員。研究方向為高效率、高功率密度電力電子變換器技術(shù)及其應(yīng)用、無線電能傳輸技術(shù)及應(yīng)用，MHz電源模塊技術(shù)、信息系統(tǒng)供電架構(gòu)及其關(guān)鍵電能變換技術(shù)、以及航空航天供電系統(tǒng)等。?
主持國家自然科學(xué)基金面上項目2項，青年基金1項(結(jié)題優(yōu)秀)，JKW重點項目1項，軍委預(yù)研項目、型譜項目5項，中央高校業(yè)務(wù)經(jīng)費創(chuàng)新項目、GF基金3項，企業(yè)橫向項目10余項。發(fā)表學(xué)術(shù)論文100余篇(SCI 50篇)，其中第一作者及通信作者在IEEE Trans. Power Electron., IEEE Trans. Industrial Electron.，IEEE Journal of Emerging and Selected Topics in PE論文30篇。?
“先進半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)大會（CASICON）”
??“先進半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)大會（CASICON）”是由極智半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)主辦，每年在全國巡回舉辦的行業(yè)綜合活動。CASICON 系列活動以助力第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)為己任，聚焦先進半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展熱點，聚合產(chǎn)業(yè)相關(guān)各方訴求，持續(xù)輸出高質(zhì)量的活動內(nèi)容。自活動啟動以來，足跡已走過南京、長沙、西安、深圳、成都、濟南、上海等城市，圍繞產(chǎn)業(yè)鏈不同環(huán)節(jié)熱點，通過“主題會議+推薦展示”的形式，搭建了良好的交流平臺，促進了參與各方交流合作，捕捉合作新機遇，發(fā)揮了重要的橋梁與聚合價值。?
目前論壇組織正有序進行中，論壇誠邀全產(chǎn)業(yè)鏈相關(guān)專家學(xué)者、企業(yè)、從業(yè)人士蒞臨現(xiàn)場交流研討、參觀&合作。日程安排及專家、報告人詳見下圖???
