據(jù)海滄區(qū)融媒體中心消息，士蘭微電子旗下廈門(mén)士蘭集宏半導(dǎo)體有限公司的8英寸碳化硅（SiC）功率器件芯片制造生產(chǎn)線(xiàn)項(xiàng)目正式全面封頂。
據(jù)悉，士蘭集宏項(xiàng)目總投資120億元，分兩期建設(shè)，總建筑面積達(dá)23.45萬(wàn)㎡。其中，一期投資70億元，預(yù)計(jì)2025年四季度初步通線(xiàn)，2026年一季度試生產(chǎn)，達(dá)產(chǎn)后年產(chǎn)能42萬(wàn)片8英寸SiC芯片。二期投產(chǎn)后總產(chǎn)能將提升至72萬(wàn)片/年，成為全球規(guī)模領(lǐng)先的8英寸SiC功率器件產(chǎn)線(xiàn)，項(xiàng)目以SiC MOSFET為核心產(chǎn)品，主要服務(wù)于新能源汽車(chē)主驅(qū)逆變器、光伏逆變器、智能電網(wǎng)等高需求領(lǐng)域。
士蘭微電子董事會(huì)秘書(shū)、副總裁陳越表示，總投資70億元的一期項(xiàng)目，將盡最大努力爭(zhēng)取在今年年底實(shí)現(xiàn)初步通線(xiàn)，明年一季度投產(chǎn)，到2028年底最終形成，年產(chǎn)42萬(wàn)片8英寸SiC功率器件芯片的生產(chǎn)能力。較好地滿(mǎn)足國(guó)內(nèi)新能源汽車(chē)所需的碳化硅芯片需求，并有能力向功率逆變產(chǎn)品提供高性能的碳化硅芯片，同時(shí)促進(jìn)國(guó)內(nèi)8英寸碳化硅襯底及相關(guān)工藝裝備的協(xié)同發(fā)展。
據(jù)介紹，士蘭集宏項(xiàng)目全面達(dá)產(chǎn)后，預(yù)計(jì)年產(chǎn)值超120億元，可滿(mǎn)足國(guó)內(nèi)40%以上的車(chē)規(guī)級(jí)SiC芯片需求，并帶動(dòng)上下游產(chǎn)業(yè)鏈集聚廈門(mén)，加速第三代半導(dǎo)體材料、設(shè)備國(guó)產(chǎn)化進(jìn)程。此外，士蘭微已實(shí)現(xiàn)第Ⅳ代SiC MOSFET芯片量產(chǎn)，其主驅(qū)模塊已獲國(guó)內(nèi)知名車(chē)企批量采購(gòu)，技術(shù)實(shí)力進(jìn)一步鞏固。