GaN與SiC器件在不同應用場景下的表征方法逐步標準化，但復雜工況下的長期可靠性驗證仍需深入探索。?
近日，由第三代半導體產業技術創新戰略聯盟（CASA）與三安光電股份有限公司共同主辦的“2025功率半導體制造及供應鏈高峰論壇”在重慶山城國際會議中心盛大召開。論壇圍繞功率半導體制造及供應鏈中的諸多關鍵問題，多方優勢力量強強聯合，院士領銜，專家齊聚，攜手促進功率半導體全產業鏈協同發展。
?泰克科技大中華區技術總監張欣
期間，“分論壇一：8英寸碳化硅晶圓智能制造”上，泰克科技大中華區技術總監張欣出席論壇，并帶來”從參數測試到可靠性驗證 新型功率器件的特性表征“的主題報告。當前，第三代半導體功率器件在參數測試、可靠性驗證等方面面臨著諸多問題。報告涉及功率半導體反向恢復參數測試、動態Rdson測試、短路耐受時間測試、IGBT 短路測試、動態老化測試系統、高溫工作壽命測試 HTOL、HTOL測試、晶圓級 DHTOL老化測試等。
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報告指出，SiC MOSFET 的可靠性問題涉及SiC的柵氧化層可靠性、SiC的（動態）閾值電壓漂移 （BTI）、SiC MOSFET 在高 dv/dt 條件下的可靠性問題等。應用端可靠性問題，涉及失效機理不清晰，需要在真實應用場景下加速測試。
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