3月11日，瞻芯電子推出1B封裝的1200V 9mΩ 碳化硅(SiC)半橋功率模塊(IV1B12009HA2L)為光伏、儲能和充電樁等應用場景，提供了高效、低成本的解決方案。該產品已通過工業級可靠性測試。
這款模塊產品(IV1B12009HA2L) 尺寸與標準的Easy 1B封裝相同，其殼體緊湊，高度僅12mm。該模塊內部芯片布置于陶瓷覆銅基板（DCB）上，具有內絕緣功能，可直接緊貼散熱器，無需外加陶瓷絕緣墊片，安全可靠，散熱更好；同時，模塊采用彈簧安裝座，組裝方便，集成的安裝夾使安裝牢固。
模塊電路拓撲
該模塊產品內置1200V 9mΩ SiC MOSFET芯片組成半橋電路，具有較低的雜散電感，簡化了應用電路的設計，相對于分立器件方案，提升了功率密度。同時集成熱敏電阻(NTC)以監測溫度。
該產品具有開爾文源極引腳，能在SiC MOSFET高速開關時，抑制驅動電壓尖峰，保障高頻開關應用的安全和可靠。
SiC MOSFET芯片
這款模塊采用瞻芯電子第二代平面柵1200V SiC MOSFET芯片，兼有良好性能和可靠性表現，支持+15V至+18V開通電壓和-3.5V至-2V關斷電壓，額定電流100A。
應用場景
該產品適用于高頻、高效率功率變換系統，具有安全可靠、尺寸緊湊、安裝方便等特點，典型應用場景如下：
1.高頻開關應用
2.高壓直流變換器（DC-DC）
3.直流充電樁
4.不間斷電源（UPS）
（ 來源：瞻芯電子）