國家知識產權局信息顯示，上海光通信有限公司申請一項名為“半導體結構的制備方法及半導體結構”的專利，公開號 CN 119626900 A，申請日期為 2024 年 11 月。
專利摘要顯示，本公開實施例提供一種半導體結構的制備方法及半導體結構，涉及半導體結構技術領域。該半導體結構的制備方法包括：形成目標待刻蝕層和第一圖案化層，目標待刻蝕層包括依次疊置的第一硅化物層、第一多晶硅層和第二硅化物層；刻蝕目標待刻蝕層，得到第二圖案化層，第二圖案化層包括多個第二圖案；形成側墻和第二多晶硅層，側墻覆蓋各第二圖案的側壁，第二多晶硅層填充在側墻之間的間隙；去除第一多晶硅層上方的膜層結構，以及位于第一多晶硅層和第二多晶硅層之間的側墻；刻蝕襯底以獲得半導體結構。通過控制側墻的形成參數，可以控制相鄰的第一多晶硅層和第二多晶硅層之間的間隙，從而可以半導體結構的線寬進一步縮小，提高半導體結構的器件密度。
天眼查資料顯示，上海光通信有限公司，成立于1988年，位于上海市，是一家以從事軟件和信息技術服務業為主的企業。企業注冊資本2038786.497萬人民幣，實繳資本50000萬人民幣。通過天眼查大數據分析，上海光通信有限公司共對外投資了7家企業，參與招投標項目46次，財產線索方面有商標信息12條，專利信息16條，此外企業還擁有行政許可170個。