半導體產業網獲悉：3月27日，日本三墾電氣株式會社（以下稱“三墾電氣”）于董事會上決議，將耗資約13億日元（約6300萬元人民幣）收購擁有氮化鎵（GaN）外延技術自主知識產權的株式會社Powdec（總部：栃木縣小山市，法人代表：成井啟修，以下稱“Powdec”）的全部股份（以下稱“本次收購”），特此公告。本次收購預定將于2025年4月1日完成。
隨著功率半導體市場規模將持續擴大，尤其是GaN功率器件市場預計將迎來快速增長。三墾電氣在2024年中期經營計劃中提出，將化合物半導體器件作為重點發展的新技術領域，加大相關技術開發的投入力度，為實現業績的持續增長，積極推進相關投資。此外，在推進尖端技術的研發的基礎上，通過積極與外部企業合作，在加快研發速度的同時提高研發質量，以提升企業價值，以此作為公司的定位。
三墾電氣表示，本次收購的Powdec公司擁有多項關于PSJ（Polarization Super Junction）技術的專利，能夠實現高性能GaN功率器件。該公司在本公司今后重點拓展的GaN功率器件市場中，在技術力量方面擁有競爭優勢。通過整合Powdec的先進技術，本公司可以謀求實現以下協同效應：通過應用于本公司的耐高壓功率模塊、功率器件，加速開發出具有相比傳統Si-IGBT/MOSFET更好的耐高壓、低損耗、低發熱量、高速開關特性的GaN功率器件。利用本公司在控制技術方面的優勢，開發最優化的GaN器件的驅動電路，并將其集成至同一封裝內，提供更便于客戶進行設計的產品。使本公司主要應用領域：汽車、白色家電、工業設備等行業的客戶的終端產品的節能、小型、輕量化成為可能。另外，在CO2減排等環保領域的貢獻也備受期待。
對于未來展望，三墾電氣表示，本次收購預計耗資約13億日元（約6300萬元人民幣）劃計入2025年年報。若本次交易產生影響本公司合并業績，需披露的重大事項時，我們將及時公告。另外，本公司將繼續加大對以化合物半導體器件領域為主的高成長領域的投資，力爭實現超越市場增速的發展，進一步提升企業價值。
另悉，本次三墾電氣全資收購的Powdec株式會社與國內的遠山新材料科技有限公司已建立了緊密的技術與產品合作關系，遠山公司持有Powdec核心專利“PSJ”在國內的獨家技術授權。去年12月，遠山新材曾推出了基于PSJ藍寶石基氮化鎵技術的1200V系列GaN功率器件產品。隨著作為日本電力電子與功率半導體行業龍頭企業三墾電氣正式入局GaN，相信未來中高功率氮化鎵產品將加速切入工業級應用領域。