近日，中微創芯“基于國產化逆導 IGBT（RC-IGBT）的智能功率模塊（IPM）設計開發及產業化” 項目通過中國科學院蘭州查新咨詢中心科技查新！核心技術達國際先進水平，三項創新填補國內外空白，為我國半導體產業自主化再添重器！
突破 “卡脖子”！國產 IGBT 功率模塊迎來里程碑
在全球半導體產業競爭白熱化的今天，中微創芯以硬核技術突圍，成功研發國產化逆導 IGBT（RC-IGBT）智能功率模塊（IPM），一舉攻克傳統 IGBT 模塊導通損耗高、體積大、可靠性差等難題。經權威查新機構認定，項目三大核心技術在國內外公開文獻中未見相同報道，標志著我國在功率半導體領域實現從 “跟跑” 到 “并跑” 的關鍵跨越！
三大技術創新，定義行業新高度
1. 芯片結構革新：效率與集成雙突破
首創 “溝槽柵 + 載流子存儲層 + 場截止層” 三位一體設計，通過優化載流子濃度梯度，將導通壓降低至1.6V（行業領先水平），能效比國內同類產品提升 20%；更突破性地將 IGBT 與 FRD 芯片集成于單一芯片，從源頭縮小體積、提升可靠性。
2. 極致密度與魯棒性：小尺寸大能量
芯片元胞尺寸從傳統 6μm 驟降至2.4μm，功率密度達250A/cm²，模塊體積縮小 35%；融合 Dummy 溝道與 SN 摻雜設計，短路耐量突破6μs，魯棒性提升 50%，全面適配新能源汽車、工業變頻等高功率場景的嚴苛需求。
3. 多物理場協同封裝：工藝與性能雙優化
基于熱 - 電 - 結構三場耦合仿真，采用三維銅夾鍵合工藝，實現雜散電感≤5nH、熱阻 0.8K/W 的優異性能，生產效率提升 40%，為高頻工業應用提供穩定保障。
產業化落地！打破國外壟斷進行時
項目已建成國內首條 RC-IGBT-IPM 專用產線，月產能達 20 萬支，累計獲得授權發明專利 7 項。產品成功應用于工業自動化、家電、新能源汽車等領域，與多家知名企業達成合作，從技術研發到市場應用形成完整閉環，真正實現 “中國芯” 的自主可控。
從 “替代” 到 “引領”，中微創芯開啟新征程
此次科技查新通過，不僅是對中微創芯技術實力的權威認證，更標志著我國在功率半導體領域打破英飛凌、三菱等國際巨頭的長期壟斷，為 “中國智造” 注入強勁動能。未來，我司將持續深耕智能功率模塊技術，推動國產半導體在新能源、高端裝備等戰略領域的深度應用，助力 “雙碳” 目標實現！
（來源：中微創芯科技）