國家知識產權局信息顯示，中芯國際集成電路制造（上海）有限公司申請一項名為“半導體結構及其形成方法”的專利，公開號CN 119767774 A，申請日期為2023年9月。
專利摘要顯示，一種半導體結構及其形成方法，阻 隔 層形成在所述第一功函 數層的側壁上，第二功函 數層形成在阻隔層的側 壁上，阻隔層將第二功函 數層和第一功函數層相 隔離，第二功函數層中的 元素不易穿過阻隔層擴 散到第一功函數層中，因此第一晶體管和第二晶體管之間不易 出現電學參數失配(Mismatch)的問題，半導體結構工作時，第 一功函數層能夠很好的對后續(xù)形成的第一晶體管進行閾值電 壓的調節(jié)，第二功函數層能夠很好的對后續(xù)形成的第二晶體管 進行閾值電壓的調節(jié)，有利于提高半導體結構的電學性能。
天眼查資料顯示，中芯國際集成電路制造（上海）有限公司，成立于2000年，位于上海市，是一家以從事計算機、通信和其他電子設備制造業(yè)為主的企業(yè)。企業(yè)注冊資本244000萬美元，實繳資本244000萬美元。通過天眼查大數據分析，中芯國際集成電路制造（上海）有限公司共對外投資了4家企業(yè)，參與招投標項目119次，財產線索方面有商標信息147條，專利信息5000條，此外企業(yè)還擁有行政許可443個。