國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示，英飛凌科技股份有限公司申請一項名為“功率半導體器件和制造功率半導體器件的方法”的專利，公開號 CN 119767702 A，申請日期為2024年9月 。
專利摘要顯示，一種制造功率半導體器件的方法，包括：提供半導體本體，其具有被絕緣材料覆蓋的豎直突出的鰭部(16)，該絕緣材料被電極材料覆蓋，其中隔離材料至少部分地覆蓋該電極材料；暴露布置在鰭部的上部上方的電極材料的一部分；去除電極材料的暴露部分，以暴露被絕緣材料覆蓋的鰭部的上部，從而形成與鰭部的暴露上部的兩側(cè)相鄰的相應凹槽，該凹槽在空間上由絕緣材料、電極材料和隔離材料限制；通過對隔離材料的在空間上限制該凹槽的部分的邊緣進行斜切，提供另外的絕緣材料以及隨后的去除處理步驟，在器件的暴露部分的頂部上形成層間電介質(zhì)ILD，以重新暴露鰭部的上部而隔離材料不覆蓋它；在ILD上方形成第一負載端子，其被配置為接觸鰭部的上部。