?近日，基本半導體正式推出新一代碳化硅MOSFET系列新品，產品性能進一步提升，封裝形式更加豐富。首發規格包括面向車用主驅等領域的1200V/13.5mΩ、750V/10.5mΩ系列，面向光伏、儲能等領域的1200V/40mΩ系列，以及面向AI算力電源、戶儲逆變器等領域的650V/40mΩ系列產品。其中650V/40mΩ系列產品通過將元胞間距微縮至4.0μm，在低電壓等級下實現了更高性能表現。這一系列新品將顯著提升終端應用的系統效率和高溫性能，降低能量損耗，助力新能源領域實現更高效、更經濟的功率器件解決方案。
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表1 新一代碳化硅MOSFET參數列表
與國際競品開關損耗對比
圖1 新一代1200V 13.5mΩ SiC MOSFET與國際競品開關損耗對比?
開關損耗 Eoff/Etotal 在常溫和高溫下均優于W*/O*國際競品，高溫下Eon與國際競品W*接近。
圖2 新一代650V 40mΩ SiC MOSFET與國際競品開關損耗對比
開關損耗Eoff/Eon/Etotal 在常溫和高溫下表現優異，與W*/S*國際競品接近。
在產品交付形態上，基本半導體提供裸芯片和晶圓兩種形式之外，在封裝方面針對不同應用場景進行了全面布局：1200V/13.5mΩ產品提供TO-247-3和TO-247-4封裝；1200V/40mΩ產品提供TO-247-3、TO-247-4、TO-263-7和HSOP8封裝；650V/40mΩ產品則提供TO-247-3、TO-247-4、TO-263-7、TOLL和TOLT等多種封裝選擇，為新一代高功率密度、低成本應用開發提供了更為完善的解決方案。
表2 新一代碳化硅MOSFET產品封裝形式
在產品可靠性方面，基本半導體建立了嚴格的閉環開發體系，所有產品均通過車規級以上的關鍵可靠性項目驗證：??
高溫反偏HTRB：Tj=175℃，VDS=100%BV，1000H，PASS
高溫高濕反偏H3TRB：TA=85℃/85%RH，VDS=80%BV，1000H，PASS
高溫柵極偏壓HTGB+：Tj=175℃；VGS=22V，1000H，PASS
高溫柵極偏壓HTGB-：Tj=175℃；VGS=-10V，1000H，PASS
封裝特性
TO-263-7：貼片封裝，體積小巧。源極引腳采用特殊設計，電氣性能優異，有效降低損耗與噪聲。
HSOP8：薄小外形設計，多引腳小間距布局，配備散熱結構，展現卓越電氣性能。
TOLL：無引腳設計，體積小巧，電氣性能好。具有低封裝電阻和寄生電感特性。底部散熱設計可支持大電流應用。
TOLT：頂部散熱結構，提供更高的熱可靠性，特別適合對熱管理要求嚴苛的應用場景。
應用領域
1200V 13.5mΩ分立器件及模塊：新能源汽車主驅逆變器、PCS、APF
1200V 40mΩ分立器件及模塊：光伏發電、儲能系統、充電樁、電焊機、新能源汽車OBC及汽車空調壓縮機
750V?10.5mΩ分立器件及模塊：新能源汽車主驅逆變器、新能源汽車OBC及DCDC變換器
650V 40mΩ分立器件：AI算力電源、微型逆變器、通訊電源、儲能系統
基本半導體此次推出的碳化硅MOSFET系列新品在導通電阻、開關損耗、熱阻等核心參數上已達到行業先進水平。通過持續的技術創新和工藝優化，基本半導體致力于為客戶提供更優性能、更高可靠性的功率半導體解決方案。未來，公司將持續加大研發投入，不斷突破技術邊界，與合作伙伴攜手共進，推動清潔能源技術發展，為構建高效、可持續的能源體系貢獻力量。
（來源：基本半導體）