碳化硅（SiC）芯片目前已在新能源汽車、雷達基站、5G通訊、智能電網(wǎng)等眾多前沿領域展現(xiàn)出極為廣闊的應用前景，成為推動這些行業(yè)邁向更高層次、實現(xiàn)轉(zhuǎn)型升級的核心驅(qū)動力。然而，SiC材料高硬度特性給傳統(tǒng)多線切割的襯底加工方式帶來了前所未有的巨大挑戰(zhàn)，材料耗損嚴重、加工效率低下、加工成本高昂等痛點成為制約行業(yè)發(fā)展的關鍵瓶頸。隨著晶圓尺寸從6inch逐步向12inch拓展，傳統(tǒng)線切割應對更大尺寸晶圓時，所面臨的困境愈發(fā)嚴峻。在此行業(yè)背景下，SiC晶錠激光剝片技術應運而生，憑借其材料耗損小、出片率高、效率高等巨大優(yōu)勢，逐漸成為大尺寸SiC晶錠切割領域的主流技術。
然而，激光剝片技術要在工藝品質(zhì)上達到卓越水準的同時，還要實現(xiàn)生產(chǎn)效率的高效運行，絕非易事。在2025年5月15日舉辦的行家說（第5屆）車規(guī)級8英寸SiC量產(chǎn)技術及汽車&數(shù)字能源應用大會上，大族半導體產(chǎn)品線總經(jīng)理巫禮杰先生特別指出，該技術的核心目標是為客戶大幅降低制造成本，而要達成這一目標，需重點把控以下幾個核心要點：出片率（高），加工效率（高），自動化水平（高），加工良率（高），生產(chǎn)耗材（低）。大族半導體憑借強大的研發(fā)實力與創(chuàng)新精神，在激光剝片QCB（Qian Ceng Bing）技術基礎上，取得了技術成果的進一步突破：在切割損耗方面，實現(xiàn)8inch?350μm導電型襯底片切割，單片總損耗<70-80μm，單耗<450-470μm(單耗=上次晶錠厚度-剝離1片晶圓后晶錠厚度)，即20mm晶棒，出片數(shù)量提升到42-44 pcs；在加工效率方面，實現(xiàn)8inch 350μm導電型襯底片切割，單片作業(yè)時間縮短到15min/pcs以內(nèi)；在加工耗材方面，剝離面平整，粗糙度好，TTV小，對磨輪損傷降低，同等條件下，磨耗比行業(yè)平均水平降低40%，降低砂輪耗損；以上技術突破為實現(xiàn)更低損耗、高效率、智能化、自動化晶錠剝片提供保障，進一步全方位降低SiC晶錠切割制造成本。
??
?設備推介?
?大族半導體SiC晶錠激光剝片產(chǎn)線自動化裝備采用了先進的模塊化設計理念，這一設計能夠靈活應對8inch、12inch激光剝片的需求，實現(xiàn)了晶錠激光剝片產(chǎn)線自動化生產(chǎn)。
?
SiC晶錠激光剝片產(chǎn)線自動化裝備
01產(chǎn)線裝備：精準布局，高效協(xié)同
產(chǎn)線裝備經(jīng)過精心設計與反復優(yōu)化，各環(huán)節(jié)緊密銜接，構建起高效、穩(wěn)定的生產(chǎn)流程。從原材料的上料到成品的下料，每一個步驟都經(jīng)過精確管控，嚴格確保了產(chǎn)品質(zhì)量的一致性及穩(wěn)定性，為大規(guī)模生產(chǎn)奠定了基礎。
02工藝制程：精細把控，品質(zhì)卓越
在工藝制程方面，大族半導體擁有獨特的工藝技術和豐富的實踐經(jīng)驗。通過獨特工藝技術的精確控制與智能化過程檢測與控制，有效保障了激光剝片作業(yè)的高質(zhì)高效。
03技術優(yōu)勢：四大亮點，引領行業(yè)
切割低損耗
8inch單片總損耗<70-80μm，單耗450-470μm(單耗=上次晶錠厚度-剝離1片晶圓后晶錠厚度)。
加工高效率
8inch單片作業(yè)時間縮短到15min/pcs以內(nèi)。
更低耗材磨損
剝離面平整，粗糙度小，砂輪磨耗低。
產(chǎn)線靈活匹配
靈活設備匹配，產(chǎn)能利用最大化，設備數(shù)量最優(yōu)資產(chǎn)投資，設備占地靈活部署。
大族半導體憑借在激光裝備技術領域的領先地位和創(chuàng)新實力，始終秉持高精度、低損傷、高效率、技術創(chuàng)新和成本效益的發(fā)展理念，不斷推出具有競爭力的產(chǎn)品和解決方案。未來，大族半導體將堅定不移地走在技術創(chuàng)新和產(chǎn)品研發(fā)的最前沿，緊密關注半導體行業(yè)的發(fā)展趨勢和客戶需求，持續(xù)引領半導體行業(yè)持續(xù)創(chuàng)新與發(fā)展！
（來源：大族半導體）