據(jù)香港科技大學(xué)快訊報道，近日，由香港科技大學(xué)霍英東研究院與香港科技大學(xué)（廣州）聯(lián)合孵化的“拓諾稀科技”迎來里程碑時刻——其位于南沙的首個先進(jìn)生產(chǎn)廠房正式啟用！該廠房配備高標(biāo)準(zhǔn)潔凈室設(shè)施和完善的生產(chǎn)研發(fā)配套，具備批量化外延制備能力，實現(xiàn) “從實驗室走向產(chǎn)業(yè)”，為大規(guī)模推進(jìn)氧化鎵外延產(chǎn)品走向市場奠定了堅實基礎(chǔ)。
拓諾稀科技生產(chǎn)廠房位于粵港澳大灣區(qū)“黃金內(nèi)灣”廣州南沙，占地約500平方米，集研發(fā)、測試、制造、工藝支持于一體。設(shè)有MOCVD工藝區(qū)和離子注入室、專用的氣體儲存間、固廢處理間，全面保障高科技產(chǎn)品制造的穩(wěn)定與安全。
氧化鎵（Ga?O?）作為一種具有超寬禁帶的半導(dǎo)體材料，在高壓功率電子、射頻通訊、光電探測等領(lǐng)域展現(xiàn)出巨大的應(yīng)用潛力。由香港科技大學(xué)（廣州）陳子強(qiáng)教授與其博士生共同創(chuàng)立的拓諾稀科技，聚焦于氧化鎵外延薄膜的制備及高性能半導(dǎo)體器件的開發(fā)，是全球獨家通過MOCVD工藝實現(xiàn)了穩(wěn)定p型導(dǎo)電氧化鎵外延層的企業(yè)，填補了氧化鎵材料體系中長期缺失的p型導(dǎo)電空白。
陳子強(qiáng)教授表示：“我們解決了氧化鎵20年的無p型導(dǎo)電性能痛點，解鎖氧化鎵的雙極器件能力，重構(gòu)氧化鎵的產(chǎn)業(yè)鏈生態(tài)，市場規(guī)模提升至少10倍，百億規(guī)模市場變?yōu)閿?shù)干億規(guī)模市場。”
據(jù)悉，團(tuán)隊成功改造MOCVD工藝的生產(chǎn)設(shè)備在廠房中運行良好，實現(xiàn)了設(shè)備平臺與氧化鎵材料的深度適配，為第四代半導(dǎo)體材料的本土化生產(chǎn)與應(yīng)用提供了可持續(xù)的技術(shù)支持平臺。