?近日，備受矚目的第31屆半導體年度獎（Semiconductor of the Year 2025）頒獎典禮在日本東京舉行。中國半導體材料領域的領軍企業(yè)——山東天岳先進科技股份有限公司，憑借其在碳化硅襯底材料技術上取得的革命性突破，榮獲由日本權威半導體媒體《電子器件產(chǎn)業(yè)新聞》頒發(fā)的“半導體電子材料”類金獎。
這是中國企業(yè)在該獎項設立31年以來的首次問鼎，也是該獎項歷史上首次將最高榮譽授予碳化硅襯底材料技術，標志著中國在半導體關鍵基礎材料領域?qū)崿F(xiàn)了歷史性的重大突破，彰顯了中國新一代半導體材料技術的國際領先地位。
再獲行業(yè)高含金量權威認證
半導體年度獎由日本最具公信力的半導體產(chǎn)業(yè)專業(yè)媒體《電子器件產(chǎn)業(yè)新聞》主辦，旨在從全球范圍內(nèi)表彰在設備、器件及材料三大領域的杰出技術創(chuàng)新，其獎項以嚴苛的評選標準和極高的行業(yè)權威性著稱。在歷屆獲獎企業(yè)名單中，英偉達、索尼、美光等國際產(chǎn)業(yè)巨頭，以及東芝、住友電工、昭和電工等日企，是這份“黃金榜單”中的常客。天岳先進作為31年來首家獲此殊榮的中國企業(yè)，成功躋身這一由全球頂尖公司組成的行列，不僅是國際上對天岳先進在碳化硅半導體材料領域獲得的成就的高度肯定，更是中國半導體產(chǎn)業(yè)整體實力躍升的又一里程碑。
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襯底技術鑄就創(chuàng)新標桿
在電子材料領域，歷年金獎得主無一不是掌握核心專利、主導國際標準的全球行業(yè)領導者。天岳先進此次獲獎，是碳化硅襯底技術首度獲得該獎項的垂青，凸顯了半導體材料領域的技術演進方向，也是業(yè)內(nèi)對天岳先進在碳化硅襯底這一核心基礎環(huán)節(jié)不懈探索和新突破的高度認可。
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碳化硅作為第三代半導體的基石，其襯底材料的品質(zhì)與制備技術直接決定了整個產(chǎn)業(yè)鏈的性能、成本和下游應用的普及度，是支撐新能源汽車、特高壓輸電、5G／6G通信、數(shù)據(jù)中心等戰(zhàn)略新興產(chǎn)業(yè)發(fā)展的根本所在。天岳先進此次歷史性獲獎的核心驅(qū)動力，源于其長期聚焦于碳化硅襯底材料技術，并在此領域?qū)崿F(xiàn)了持續(xù)的創(chuàng)新突破。長期以來，高品質(zhì)、大尺寸碳化硅襯底的制備技術壁壘極高，是國際競爭的焦點。面對挑戰(zhàn)，天岳先進長期深耕襯底材料研發(fā)，通過技術攻堅與產(chǎn)業(yè)化推進，成功實現(xiàn)了從技術追趕到國際并跑再到關鍵領域引領的跨越。據(jù)悉，其在材料晶體生長、缺陷控制、加工工藝等核心環(huán)節(jié)取得的一系列突破性進展，不僅攻克了大尺寸化等世界級難題，更在材料性能上達到了國際領先水平，成為全球半導體材料領域的創(chuàng)新標桿。
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中國半導體材料加快崛起
當前，全球碳化硅產(chǎn)業(yè)格局正經(jīng)歷深刻調(diào)整。天岳先進憑借在襯底材料技術上的深厚積累、持續(xù)突破與先發(fā)優(yōu)勢，展現(xiàn)出強勁的發(fā)展勢頭。此次榮獲半導體年度獎金獎，不僅是天岳先進發(fā)展歷程中的重要里程碑，更是中國半導體材料產(chǎn)業(yè)自主創(chuàng)新道路上的一個縮影。天岳先進的發(fā)展歷程，有力證明了中國企業(yè)在突破半導體關鍵核心技術領域所具備的創(chuàng)新能力。
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隨著第三代半導體在“雙碳”戰(zhàn)略與數(shù)字經(jīng)濟浪潮中迎來爆發(fā)式增長，天岳先進有關負責人表示，將以此次金獎為新起點，加速構建覆蓋研發(fā)、量產(chǎn)到應用的全球核心競爭力，為未來科技產(chǎn)業(yè)發(fā)展注入澎湃中國動能。
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（來源：魯網(wǎng)）