會議現場，能訊半導體射頻產品中心總監劉鑫先生作《氮化鎵工藝在射頻新興市場應用》的主題演講，與觀眾分享和探討未來氮化鎵在5G小基站市場、射頻能源市場以及LNA、RF Switch市場等潛在應用機會。
作為第三代半導體材料，氮化鎵的研究和應用已經有20多年的歷史。特別是近幾年，氮化鎵在5G MIMO RRU以及新一代大功率、小型化雷達的應用更是備受矚目。同時隨著GaN在基站以及國防市場的大規模生產和應用，GaN 器件的產能以及成本問題也得到了極大的緩解，GaN工藝進入了一個新的更為成熟的大規模商業應用階段。GaN的高功率密度、高效率、高截止頻率以及大帶寬的優異特性以及其不斷成熟的量產能力和不斷降低的成本正在幫其不斷地拓展自己的應用邊界，不斷地更替原先GaAs/LDMOS甚至是磁控管所主導的應用領域。
能訊半導體現場展示的5G通信、射頻能源、寬帶射頻等解決方案吸引了眾多客戶咨詢與洽談，同時也與相關科研院校，如清華大學，中國科學院、北京大學等進行技術層面交流。
目前，能訊產品在上述應用市場均已實現商用批量供貨。能訊半導體始終追求技術優先，以客戶需求為中心，為客戶提供高能效半導體解決方案，滿足客戶多元化應用場景需求。
會議現場