?智能駕駛時代下第三代半導體材料的技術進步給電動車電驅(qū)電控系統(tǒng)和電源系統(tǒng)帶來的新的技術進展。汽車電動化、網(wǎng)聯(lián)化、智能化發(fā)展趨勢中，電動化最受益的是功率器件，尤其是IGBT。智能化的快速發(fā)展，自動駕駛、智能座艙等對汽車感知器件、運算能力、數(shù)據(jù)量需求日益提升，汽車控制芯片、存儲芯片等成長空間廣闊。
英諾賽科作為全球領先的GaN IDM高新技術企業(yè)，擁有世界上最大的8英寸硅基氮化鎵生產(chǎn)基地和先進的研發(fā)與制造能力，致力于用硅基氮化鎵打造綠色高效新世界。自2015年成立至今，英諾賽科已獲專利700多項，為客戶提供從30V 到700V的高、低壓全功率段氮化鎵芯片及全氮化鎵整體解決方案。8英寸氮化鎵全自動生產(chǎn)線與全流程質(zhì)量管控體系，為芯片性能和大批量交付需求提供了有力保障。截至去年8月，英諾賽科已累計出貨超1億顆氮化鎵芯片，并在消費類電子、數(shù)據(jù)中心、自動駕駛、新能源等領域與上下游企業(yè)緊密合作，逐步構建起氮化鎵“芯”生態(tài)。
隨著第三代半導體技術的持續(xù)進步，高效、低能耗、高功率密度的氮化鎵功率器件推動系統(tǒng)向高功率密度的發(fā)展，逐漸成為綠色經(jīng)濟發(fā)展的驅(qū)動力，尤其是新能源汽車領域。據(jù)預測，到2025年電動汽車中氮化鎵芯片市場機會每年總值將超過25億美元。目前，英諾賽科已通過了IATF16949認證。
近期，在第八屆國際第三代半導體論壇（IFWS）召開的“第二屆車用半導體創(chuàng)新合作峰會”上。英諾賽科產(chǎn)品應用主任工程師孟無忌做了題為“GaN在新能源汽車的探索與實踐”的主題報告，介紹了相關的實踐成果與方案。
GaN功率器件在智能汽車中的應用涉及雙向DC/DC、自動駕駛核心電源、PD快充、車載充電器(OBC)、激光雷達、LED驅(qū)動、音響Class-D功放、能量管理系統(tǒng)（BMS）、電機驅(qū)動等環(huán)節(jié)。
報告介紹了介紹了英諾賽科GaN在高性能自動駕駛激光雷達、音響Class-D功放等領域的應用，氮化鎵Class-D功放仿真和樣機，以及英諾賽科支撐高功率密度/高效率核心供電方案、All-GaN 車載快充和無線充解決方案、All-GaN 48V/12V雙向DC/DC方案、All-GaN車載充電機(OBC)解決方案、All-GaN雙向APM解決方案等實踐進展。
其中，InnoGaN支撐高功率密度/高效率核心供電方案方面，相同功率密度下GaN可實現(xiàn)更高效率，相同效率下GaN可實現(xiàn)更高的功率密度。InnoGaN在音響Class-D功放中具有顯著優(yōu)勢，比如高開關頻率、超低寄生電容、零反向恢復等。All-GaN車載充電機(OBC)解決方案中，具有能量雙向流動、效率高于Si /SiC MOSFET方案、成本低于SiC MOSFET方案等優(yōu)勢。All-GaN雙向APM解決方案中具有高開關頻率、DC/DC級高功率密度、低壓側低驅(qū)動損耗等優(yōu)勢。
嘉賓簡介
孟無忌，英諾賽科產(chǎn)品應用主任工程師。自就讀博士起致力于研究氮化鎵晶體管高速和高頻應用，發(fā)表SCI期刊論文3篇，國際學術會議論文8篇。目前在英諾賽科產(chǎn)品應用部負責氮化鎵功率器件產(chǎn)品應用開發(fā)，構建InnoGaN產(chǎn)品與解決方案在數(shù)據(jù)中心、人工智能、新能源等戰(zhàn)略新興領域的競爭力。