?自半導體誕生以來，半導體材料便不斷升級。與第一代和第二代半導體材料相比，第三代半導體材料具有更寬的禁帶寬度、更高的擊穿電場、更高的熱導率、更大的電子飽和度以及更高的抗輻射能力。碳化硅是最接近大規模商業化的第三代半導體材料,SiC器件正廣泛應用于電力電子領域中，作為制作高溫、高頻、大功率、高壓器件的理想材料之一。國內外紛紛投入大量的人力物力積極發展布局，各地碳化硅項目漸次落，“枝繁葉茂”的同時，也給業界帶來如何避免過度分散以及更好規模化發展的思考。
2023年5月5日，“2023碳化硅關鍵裝備、工藝及其他新型半導體技術發展論壇”于長沙開幕。論壇在第三代半導體產業技術創新戰略聯盟的指導下，由極智半導體產業網與中國電子科技集團第四十八研究所聯合組織。
開幕大會上，泰科天潤董事長陳彤帶來大會報告，圍繞當前碳化硅項目到底要建多大線的問題，分析碳化硅行業規模化發展的謎題與難題。
功率半導體器件是進行電能（功率）處理的核心器件，通過對弱電的運用和驅動，實現對強電的控制和運行，是各種電力電源裝置的CPU，是決定后端性能的制高點。功率半導體是從最底層材料開始的一次覆蓋全鏈條的產業技術革新。半導體制造業具有超大規模制造，重資產、周期長，運營成本高、風險大、協同要求極強，高度專業、集中、企業資產殘值低等基本特點，競爭挑戰高。
當前國內不少碳化硅項目具有投資規模大，布局產能規模大，新進企業多，區域分布散等特點，不過，布局投資的規模不等于實際具備的生產能力，需要更重視有效產能。當前，國產碳化硅發展的瓶頸問題，主要涉及供給側問題（生產工藝、有效產能）等，同時也存在產業鏈生產工藝基礎薄弱，設備交付周期長、供不應求，人才培養周期長，襯底材料有效供應不足的考驗。碳化硅規模化發展需要低成本、高質量以及大批量的供貨能力。
陳彤表示，碳化硅產業總體是個慢而艱熬的產業，但是正是因為慢才有國產的機會。國產化的有效產出突破百萬片/年，單體項目突破10萬片/年，需要相當一段時間的突破和積累。國產化碳化硅晶圓制造項目布局，在月產1萬片的布局為穩妥，做好長期技術積累的準備。碳化硅國產化發展最大的優勢是中國的內卷能力，與硅器件的PK是現實要求。”用夠拼的行動和夠忍的耐力，做到硅器件2倍左右的價錢，國產化才能真正突破百萬片大關。盡快把不成熟，做成熟，跟上國外發展的腳步就是勝利。“
嘉賓簡介
陳彤，泰科天潤董事長，中關村高端領軍人才，科技部第三代半導體專家組成員。深耕碳化硅領域數余載，帶領團隊在第三代半導體碳化硅（SiC）功率器件研發、生產、量產及產品應用方面取得顯著成果。陳彤博士帶領團隊建成國內第一條碳化硅（SiC）功率器件研發和量產生產線，并成功實現碳化硅（SiC）公司針對新能源、電動汽車、通訊信息產業，提供各類型碳化硅核心器件、及多套行業解決方案。
陳彤博士率領的團隊2013年開始全面投入碳化硅產業，依托當時國內唯一的量產型高溫離子注機等成套設備平臺，以及產業經驗豐富的技術團隊，通過多年的市場化鑄造，掌握了碳化硅功率器件的設計、關鍵工藝和制造品控全套技術，公司榮獲半導體協會創新產品、中國芯等系列大獎榮譽，得到半導體行業內的一致首肯。公司已建設成為一個擁有自主SBD、MOSFET等SiC器件核心芯片技術、滿足國內外用戶的高端需求，引領我國SiC器件制造的研發和生產企業。