?以金剛石、氧化鎵、氮化鋁、氮化硼、石墨烯等為代表的超寬禁帶半導體材料具有更高的禁帶寬度、熱導率以及材料穩(wěn)定性，有著顯著的優(yōu)勢和巨大的發(fā)展?jié)摿Γ絹碓降玫絿鴥?nèi)外的重視。氧化鎵（Ga2O3）具有4.8 eV的超寬帶隙，在功率電子器件、深紫外探測等應用領域受到世界各國科研和產(chǎn)業(yè)界的強烈關注。
近日，“2023碳化硅關鍵裝備、工藝及其他新型半導體技術發(fā)展論壇”在長沙召開。論壇在第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟的指導下，由極智半導體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)與中國電子科技集團第四十八研究所等單位聯(lián)合組織。論壇圍繞“碳化硅襯底、外延及器件相關裝備產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新發(fā)展”、“關鍵零部件及制造工藝創(chuàng)新突破”、“產(chǎn)業(yè)鏈上下游協(xié)同創(chuàng)新”、“氮化鎵與氧化鎵等其他新型半導體”，邀請產(chǎn)業(yè)鏈上下游的企業(yè)及高校科研院所代表深入研討，攜手促進國內(nèi)碳化硅及其他半導體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。
期間，在“氮化鎵、氧化鎵及其他新型半導體”分論壇上，廈門大學教授張洪良分享了氧化鎵薄膜外延及電子結(jié)構的研究成果與進展。
氧化鎵半導體器件產(chǎn)業(yè)鏈包括單晶襯底、外延薄膜、器件制作等多個環(huán)節(jié)。其中，單晶和外延薄膜是材料基礎，其品質(zhì)直接決定器件的性能。報告分享了當前氧化鎵薄膜外延的發(fā)展現(xiàn)狀，并重點介紹了課題組氧化鎵薄膜外延、電子結(jié)構、摻雜與缺陷機制等方面的研究進展。
嘉賓簡介
2012年獲得牛津大學無機化學博士學位，2008年新加坡國立大學碩士學位，2003年山東大學本科。2012-2017年先后在美國西北太平洋國家實驗室和劍橋大學從事博士后工作。
研究方向為寬禁帶氧化物半導體薄膜外延、能帶調(diào)控及光電探測器件，迄今在Phys. Rev. Lett., J. Am. Chem. Soc., Nat. Commun., Adv. Mater.，等發(fā)表論文150余篇，申請專利11項。主持國家重點研發(fā)計劃課題、國家自然科學基金委面上基金、企業(yè)合作研發(fā)等項目8項。曾獲國家高層次“青年”人才、劍橋大學Herchel Smith Research Fellowship、臺灣積體電路制造公司（TMSC）最佳國際研究生科研獎。