?以金剛石、氧化鎵、氮化硼為代表的超寬禁帶半導(dǎo)體禁帶寬度、化學(xué)穩(wěn)定性、擊穿場(chǎng)強(qiáng)等優(yōu)勢(shì)，是國(guó)際半導(dǎo)體領(lǐng)域的研究熱點(diǎn)。其中，氧化鎵（Ga2O3）具有超寬禁帶、超高臨界擊穿場(chǎng)強(qiáng)、抗輻照和低成本等優(yōu)勢(shì)，被譽(yù)為下一代電力電子器件最有利的競(jìng)爭(zhēng)者，在高壓、大功率、高效節(jié)能等方面有非常大的應(yīng)用潛力。
近日，“2023功率與光電半導(dǎo)體器件設(shè)計(jì)及集成應(yīng)用論壇”于西安召開(kāi)。論壇由第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）指導(dǎo)，西安交通大學(xué)、極智半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)（www.casmita.com）、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)主辦，西安電子科技大學(xué)、中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所、CASA人才發(fā)展委員會(huì)、全國(guó)半導(dǎo)體應(yīng)用產(chǎn)教融合（東莞）職業(yè)教育集團(tuán)聯(lián)合組織籌辦。期間，“平行論壇1：功率半導(dǎo)體器件設(shè)計(jì)及集成應(yīng)用”上，中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第十三研究所重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室高級(jí)工程師敦少博帶來(lái)了題為“高耐壓氧化鎵功率器件研制進(jìn)展與思考”的主題報(bào)告。
中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第十三研究所是中國(guó)成立最早、規(guī)模最大、技術(shù)力量雄厚、專業(yè)結(jié)構(gòu)配套的綜合性半導(dǎo)體研究所。主要涉及微電子、光電子
報(bào)告指出，P型摻雜技術(shù)缺失依然是氧化鎵功率器件發(fā)展面臨的重大瓶頸問(wèn)題，開(kāi)發(fā)新型終端結(jié)構(gòu)、尋求替代方案是目前國(guó)際研究熱點(diǎn)之一 。氧化鎵二極管相對(duì)更成熟一些，小尺寸二極管進(jìn)展迅速，部分性能已超越SiC材料理論極限， 在高壓、低導(dǎo)通特性顯現(xiàn)出一定的性能優(yōu)勢(shì)。當(dāng)前仍亟需材料、器件與應(yīng)用端協(xié)同攻關(guān)，實(shí)現(xiàn)高性能大尺寸功率器件研制，推動(dòng)氧化鎵功率器件工程化應(yīng)用。
CASICON 系列活動(dòng)簡(jiǎn)介
?“先進(jìn)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)大會(huì)（CASICON）” 由【極智半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)】主辦，每年在全國(guó)巡回舉辦的行業(yè)綜合活動(dòng)。活動(dòng)聚焦先進(jìn)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展熱點(diǎn)，聚合產(chǎn)業(yè)相關(guān)各方訴求，通過(guò)“主題會(huì)議+項(xiàng)目路演+展覽”的形式，促進(jìn)參與各方交流合作，積極推動(dòng)產(chǎn)業(yè)發(fā)展。CASICON 系列活動(dòng)將以助力第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)為己任，聯(lián)合實(shí)力資源，持續(xù)輸出高質(zhì)量的活動(dòng)內(nèi)容，搭建更好的交流平臺(tái)，為產(chǎn)業(yè)發(fā)展貢獻(xiàn)應(yīng)盡的力量。
（備注：以上信息僅根據(jù)現(xiàn)場(chǎng)整理未經(jīng)嘉賓本人確認(rèn)，僅供參考！）