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強(qiáng)芯沙龍 | 直播預(yù)告!碳化硅襯底材料與關(guān)鍵技術(shù)如何破局?

發(fā)表于:2023-08-09 來源:半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng) 編輯:

?新科技時代背景下,人工智能、能源環(huán)保、自動駕駛等需求驅(qū)動下,以氮化鎵、碳化硅等為代表的第三代半導(dǎo)體材料迎來廣闊的發(fā)展前景,成為全球的機(jī)會和關(guān)注焦點(diǎn)。

當(dāng)前,能源技術(shù)革命從電力高端裝備的發(fā)展逐步向由材料革命的發(fā)展來帶動和引領(lǐng),第三代半導(dǎo)體有望掀起綠色經(jīng)濟(jì)革命,助力以汽車電子、光儲、風(fēng)電為代表的新能源產(chǎn)業(yè)和消費(fèi)電源等領(lǐng)域高效電能轉(zhuǎn)換。其中,碳化硅作為第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要基礎(chǔ)材料,因其優(yōu)異的耐高壓、耐高溫、低損耗等性能,能夠有效滿足電力電子系統(tǒng)的高效率、小型化和輕量化要求。有望成為未來最被廣泛使用的制作半導(dǎo)體芯片的基礎(chǔ)材料。特別是在新能源汽車、光伏發(fā)電、軌道交通、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域具有明顯優(yōu)勢。

碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈中襯底材料是產(chǎn)業(yè)鏈的基礎(chǔ),外延材料是器件制造的關(guān)鍵,也是產(chǎn)業(yè)鏈主要價值所在。碳化硅襯底的技術(shù)壁壘最高,碳化硅襯底生產(chǎn)難度最高。目前碳化硅襯底的產(chǎn)業(yè)化仍面臨一些技術(shù)難題,需要進(jìn)行深入研究和探索。

碳化硅襯底產(chǎn)業(yè)化的關(guān)鍵技術(shù)研究是一個復(fù)雜且具有挑戰(zhàn)性的任務(wù),需要多方面的合作。為了形成“產(chǎn)學(xué)研用”協(xié)同創(chuàng)新機(jī)制,突破共性技術(shù)難題,提升我國第三代半導(dǎo)體材料生產(chǎn)企業(yè)的制備技術(shù)及智能制造能力,加強(qiáng)合作,推動碳化硅材料的應(yīng)用拓展和商業(yè)化進(jìn)程。

頭圖1

2023年8月18日下午將開啟主題為“碳化硅襯底材料與關(guān)鍵技術(shù)”的線上直播——強(qiáng)芯沙龍 | 第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展策略沙龍研討會,邀請到產(chǎn)業(yè)鏈上下游研究機(jī)構(gòu)專家、廠商代表及業(yè)界同仁等共同深入研討,共同探討破局之道,誠摯邀請您參與。

本次直播邀請到來自牛津儀器、浙大杭州科創(chuàng)中心、中電科半導(dǎo)體材料有限公司的實力派代表專家嘉賓坐鎮(zhèn)直播間,分享大尺寸碳化硅單晶生長、襯底材料技術(shù)、等離子拋光技術(shù)等熱點(diǎn)技術(shù)最新進(jìn)展動態(tài)與趨勢。

碳化硅襯底材料的制備包括原料合成、晶體生長、晶錠加工、晶棒切割、研磨拋光等環(huán)節(jié),仍有諸多技術(shù)難點(diǎn)待突破,直播還將圍繞8英寸技術(shù)難點(diǎn)與產(chǎn)業(yè)化、國產(chǎn)化裝備、車規(guī)級器件應(yīng)用需求等熱點(diǎn)話題展開互動探討。

[嘉賓簡介]

趙璐冰副秘書長

主持人:趙璐冰博士--第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟副秘書長

韓學(xué)峰

報告嘉賓:韓學(xué)峰--浙大杭州科創(chuàng)中心研究

報告主題:基于數(shù)值模擬的大尺寸碳化硅單晶生長研究

韓學(xué)峰,博士,研究員,浙大杭州科創(chuàng)中心“求是科創(chuàng)學(xué)者計劃”入選者,2022年浙江省海外高層次人才引進(jìn)計劃入選者。長期從事大尺寸碳化硅與單晶硅的模擬仿真與生長技術(shù)研究。浙江省科技廳“尖兵”研發(fā)攻關(guān)計劃項目參與單位負(fù)責(zé)人,杭州市領(lǐng)軍型創(chuàng)新團(tuán)隊核心成員,主持國家自然科學(xué)基金青年項目和企業(yè)橫向項目。發(fā)表SCI論文19篇,其中第一作者及通訊作者10篇,長期受邀擔(dān)任Journal of Crystal Growth、Japanese Journal of Applied Physics、Crystal Research and Technology、Crystals、CrystEngComm等SCI期刊審稿人,并擔(dān)任Crystals期刊客座編輯。

馬康夫

報告嘉賓:馬康夫--中電科半導(dǎo)體材料有限公司SiC材料技術(shù)專家/山西爍科晶體有限公司總經(jīng)理助理

報告主題:碳化硅襯底材料技術(shù)及應(yīng)用淺析

馬康夫,博士,高級工程師,現(xiàn)任中電科半導(dǎo)體材料有限公司SiC材料技術(shù)專家,山西爍科晶體有限公司總經(jīng)理助理。從事SiC材料研發(fā)多年,承擔(dān)及參與省部級項目10余項。獲山西省“三晉英才-青年優(yōu)秀人才”稱號,獲中國電子科技集團(tuán)公司科技進(jìn)步一等獎1項,三等獎1項。在國內(nèi)外發(fā)表相關(guān)研究論文10余篇,申請專利10余項。

黃承揚(yáng)

報告嘉賓:黃承揚(yáng)博士--牛津儀器等離子技術(shù)部制程技術(shù)與業(yè)務(wù)拓展經(jīng)理

報告主題:等離子拋光技術(shù)--碳化硅的綠色成長加速器

黃承揚(yáng),博士,畢業(yè)于清華大學(xué)電機(jī)學(xué)院,發(fā)表過18篇論文; 擁有19項專利,曾經(jīng)任職于工業(yè)技術(shù)研究院,并于2011年加入牛津儀器,擁有超過20年化合物半導(dǎo)體的研發(fā)經(jīng)驗。主要專長在于microLED、III-V光電半導(dǎo)體制程,與GaN/SiC高功率器件。

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