2023年11月27-30日，第九屆國際第三代半導體論壇（IFWS）&第二十屆中國國際半導體照明論壇（SSLCHINA）于廈門國際會議中心召開。本屆論壇由廈門市人民政府、廈門大學、第三代半導體產業技術創新戰略聯盟（CASA）、中關村半導體照明工程研發及產業聯盟（CSA）主辦，廈門市工業和信息化局、廈門市科學技術局、廈門火炬高新區管委會、惠新(廈門)科技創新研究院、北京麥肯橋新材料生產力促進中心有限公司承辦。
27日，“Mini/Micro-LED及其他新型顯示技術分會”如期舉行，本屆分會得到了三安光電股份有限公司、納微朗科技（深圳）有限公司、 中微半導體設備（上海）股份有限公司、佛山市國星光電股份有限公司、廣東晶科電子股份有限公司、深圳市大族半導體裝備科技有限公司 的協辦支持。
會上，北京大學教授陳志忠帶來了“利用溝槽結構生長高效率InGaN紅光”的主題報告，分享了溝槽結構的調制與高In含量InGaN的生長、溝槽結構對MQW發光的影響、溝槽的微觀結構與發射特性等研究進展與成果。
研究創新性地利用溝槽缺陷來提高紅色InGaN LED的發光效率。XRD RSM結果表明，由于溝槽缺陷的應變弛豫效應，波長紅移歸因于In成分的增加。高光譜CL成像和共焦PL結果表明，發光增強源于溝槽缺陷內部的強發射。特別是在低注入時，溝槽內的紅色MQW是發射的主要貢獻者。溝槽內比溝槽外更強的發光主要歸因于屏蔽效應、較弱的極化電場和較低的缺陷密度。總的來說，這項研究提供了對溝槽缺陷的新認識，并探索了實現高效紅色InGaN LED的新途徑。
（備注：以上信息僅根據現場整理未經嘉賓本人確認，僅供參考?。?/span>