?化合物半導(dǎo)體在高功率、高頻率、光電子學(xué)和光伏等領(lǐng)域的應(yīng)用表現(xiàn)出色，推動了許多先進技術(shù)的發(fā)展。近年來在在光電子學(xué)、GaN功率器件的商業(yè)化等多個領(lǐng)域都取得了顯著進展，并對電子、光電子學(xué)和能源等領(lǐng)域的技術(shù)發(fā)展產(chǎn)生了深遠的影響。隨著技術(shù)不斷創(chuàng)新，預(yù)計未來化合物半導(dǎo)體領(lǐng)域?qū)⒗^續(xù)推動科技的發(fā)展。
2023年11月28日，第九屆國際第三代半導(dǎo)體論壇（IFWS）&第二十屆中國國際半導(dǎo)體照明論壇（SSLCHINA）于廈門國際會議中心盛大開幕。本屆論壇由廈門市人民政府、廈門大學(xué)、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）、中關(guān)村半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）主辦，廈門市工業(yè)和信息化局、廈門市科學(xué)技術(shù)局、廈門火炬高新區(qū)管委會、惠新(廈門)科技創(chuàng)新研究院、北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進中心有限公司承辦。
開幕大會上，三安光電股份有限公司副董事長、總經(jīng)理林科闖帶來了《化合物半導(dǎo)體-下一個二十年》的主題報告，詳細分享了當(dāng)前化合物半導(dǎo)體的光電子、射頻電子、電源設(shè)備等技術(shù)水平和行業(yè)現(xiàn)狀，趨勢與挑戰(zhàn)。介紹了Micro LED技術(shù)、AR Micro LED 技術(shù)、園藝照明技術(shù)及園藝照明應(yīng)用，大功率激光技術(shù)等的發(fā)展。報告指出，激光應(yīng)用市場持續(xù)增長，國內(nèi)激光電視、激光投影和激光焊接的關(guān)鍵部件——高功率激光器仍由國外制造商主導(dǎo)。GaN基射頻器件是新一代移動通信的關(guān)鍵部件，與硅基和砷化鎵基相比，它具有更高的功率、更高的效率、更高工作溫度和抗輻射性，是迄今為止最具優(yōu)勢的射頻器件。歐盟/美國巨頭壟斷射頻市場，國內(nèi)設(shè)備全球份額增加，尤其是在中國本土品牌終端產(chǎn)品制造商中。國內(nèi)品牌終端產(chǎn)品制造商確實需要關(guān)鍵部件本地化才能穩(wěn)定供應(yīng)，這會拉動供應(yīng)鏈。5G基站方面，國產(chǎn)GaN射頻達到國際水平。本地生產(chǎn)的GaN RF功率放大器器件達到世界水平并批量生產(chǎn)。
對于未來的發(fā)展趨勢，報告指出，2024年，市場對Micro-LED某些應(yīng)用的需求將穩(wěn)步上升，在市場化方面邁出重要一步。Micro-LED芯片市場的增長率預(yù)計為101%，預(yù)計微型LED的發(fā)展將逐步轉(zhuǎn)向其他應(yīng)用，如可穿戴設(shè)備/頭戴式顯示器。激光產(chǎn)業(yè)發(fā)展需要提高制造能力，將核心材料和設(shè)備本地化，以擺脫對外出口管制；GaN射頻產(chǎn)品滲透率逐漸提高。隨著GaN技術(shù)的成熟和成本的降低，滲透率正在提高，預(yù)計到2025年將達到50%。電動汽車市場爆發(fā)推動SIC超過68.5億元，預(yù)計到2026年將達到245億元，年均增長37.5%，這是未來幾年中國SIC市場增長的主要驅(qū)動力。根據(jù)Wolfspeed的預(yù)測，2026年全球SiC器件市場將達到89億美元，新能源汽車、工業(yè)和能源為60億美元，用于RF的SiC器件市場規(guī)模為29億美元。根據(jù)預(yù)測，到2024年，SiC的市場份額將超過10%。
報告認為，當(dāng)未來智能照明無處不在時，光電子的創(chuàng)新將是點亮我們幸福快樂生活的神奇鑰匙。人工智能在未來無處不在，萬物互聯(lián)，射頻和濾波器將滲透到通信、交通、醫(yī)療、智能機器人和信息安全領(lǐng)域。人工智能的革命需要強大的計算能力，而光通信將是最重要的橋梁。數(shù)字經(jīng)濟即將到來，光網(wǎng)絡(luò)作為關(guān)鍵承載基地，不斷向超大容量、全光交換演進升級，將承載智慧與智慧。努力打造多維物聯(lián)網(wǎng)的“核心”世界，為未來世界提供“核心芯片”，實現(xiàn)人類文明的新格局、新智能、新形態(tài)。
（備注：以上信息僅根據(jù)現(xiàn)場整理未經(jīng)嘉賓本人確認，僅供參考！）