近日，第九屆國(guó)際第三代半導(dǎo)體論壇（IFWS）&第二十屆中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體照明論壇（SSLCHINA）在廈門(mén)國(guó)際會(huì)議中心召開(kāi)。期間，“超寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)分會(huì)“上，武漢大學(xué)馮嘉仁分享了“高通量方法輔助篩選和預(yù)測(cè)半導(dǎo)體界面結(jié)構(gòu)——以β-Ga2O3 /AlN 界面為例”的主題報(bào)告。
功率電子器件廣泛應(yīng)用于電能傳輸變換各個(gè)環(huán)節(jié)，在各大電能相關(guān)領(lǐng)域應(yīng)用廣泛。高性能功率電子器件可以降低電能傳輸變換過(guò)程中損耗，助力“雙碳”目標(biāo)。氧化鎵是一種多變的半導(dǎo)體材料，它有六種不同的晶相，其中最穩(wěn)定的是β相。β相氧化鎵可以通過(guò)熔融法生長(zhǎng)出大尺寸的單晶襯底，這對(duì)于制作高性能的功率器件非常有利，其研究備受關(guān)注，也面臨著β-Ga2O3材料界面建模等挑戰(zhàn)。
報(bào)告以β-Ga2O3 /AlN 界面為例，分享了高通量方法輔助篩選和預(yù)測(cè)半導(dǎo)體界面結(jié)構(gòu)的研究成果，涉及界面結(jié)構(gòu)預(yù)測(cè)、界面篩選、界面批量生成、界面穩(wěn)定性討論、能帶對(duì)齊等內(nèi)容。研究開(kāi)發(fā)了半導(dǎo)體界面結(jié)構(gòu)高通量搜索軟件包（IPG），以Ga2O3 /AlN界面為例驗(yàn)證軟件功能，從70862440個(gè)構(gòu)型中，搜索出若干晶面的界面結(jié)構(gòu)，電子結(jié)構(gòu)、能帶對(duì)齊分析與實(shí)驗(yàn)值吻合，IPG軟件包具有普適性（金屬/半導(dǎo)體界面、介質(zhì)/半導(dǎo)體界面）， 為電子器件的高效設(shè)計(jì)提供了理論支撐，加速材料設(shè)計(jì)。
（備注：以上信息僅根據(jù)現(xiàn)場(chǎng)整理未經(jīng)嘉賓本人確認(rèn)，僅供參考！）