北京大學取得AlGaN基深紫外發光二極管器件結構及其制備方法專利，顯著提升器件的光輸出功率

 據國家知識產權局公告，北京大學取得一項名為“一種AlGaN基深紫外發光二極管器件結構及其制備方法“，授權公告號CN114373837B，申請日期為2021年11月。

專利摘要顯示，本發明涉及化合物半導體光電子器件領域，尤其涉及一種高性能AlGaN基深紫外發光二極管器件(LED)的器件結構及其制備方法。本發明所述的AlGaN基深紫外發光二極管器件結構具有V形立體pn結注入結構。所述V形立體pn結注入結構是通過在AlGaN基量子阱部分的V形腐蝕坑的側壁的半極性面上進一步形成AlGaN電子阻擋層(EBL)、pAlGaN和pGaN接觸層而形成的。該V形立體pn結注入結構改變了目前廣泛使用的在(0001)面藍寶石襯底上生長的AlGaN基深紫外LED中空穴只能沿著[0001]方向注入這一固有限制，從而有效解決空穴遷移能力不足導致的注入效率低下的問題，顯著提升LED器件量子阱中空穴濃度和均勻分布，進而提升器件的光輸出功率，同時有效解決了大電流注入下的Droop效應問題。