4月8日，安建半導體宣布C1輪融資圓滿收官，獲得超過2億元融資，由北京國管順禧基金及中航投資領投，龍鼎投資、一元航天及萬創投資跟投。募集資金將主要用于開發及量產汽車級IGBT與SiC MOS產品平臺，擴建汽車級IGBT及SiC模塊封裝產線，擴充銷售及其他人才團隊，增加營運現金流儲備等。
安建半導體是一家從事功率半導體元器件產品設計、研發及銷售的公司，其現有低電壓的SGT-MOSFET（分裂柵金屬氧化物場效應晶體管）、高電壓的SJ-MOSFET（超結金屬氧化物場效應晶體管）、Field Stop Trench IGBT（絕緣柵雙極晶體管）三條成熟的產品線。安建半導體官方消息顯示，公司擁有由香港科技大學教授、大中華區唯一一位從事硅基功率半導體研究的美國電子電氣工程師學會院士（IEEE Fellow）所領銜的業內頂尖技術團隊。
據悉，安建半導體目前已推出1200V-17mΩ SiC MOSFET，正在同步建設SiC模塊封裝產線和開發新一代GaN技術和產品。
安建半導體指出，其早于2019年即在國內頂尖8-inch晶圓廠成功開發并量產了僅采用7層光罩工藝的第七代溝槽-場截止IGBT技術，是國內第一家量產第七代IGBT的國產廠家，并完全擁有相關自主知識產權。
2023年9月，安建半導體官宣近期將自有專利的第7層光罩工藝流程成功轉移至國內頂級12-inch IGBT加工平臺，也是國內首家推出基于7層光罩工藝的12-inch第七代IGBT的國產廠家。
（來源：集微）