?金剛石材料因具有超寬禁帶、高載流子遷移率、高飽和漂移速度、高熱導率等優異特性，已成為國內外研究熱點。金剛石半導體材料?的發展關系到高頻、高功率系統的更新換代。同時，半導體測試技術的發展對于確保半導體器件的質量、性能和可靠性至關重要。隨著半導體技術的進步和應用領域的擴展，測試技術也在不斷演進，以滿足越來越復雜和高性能的半導體器件的需求。
6月22日-23日，“新一代半導體晶體技術及應用大會在濟南召開。本次會議在第三代半導體產業技術創新戰略聯盟指導下，由山東大學新一代半導體材料研究院、山東大學晶體材料國家重點實驗室、濟南市歷城區人民政府、山東中晶芯源半導體科技有限公司、山東華光光電子股份有限公司、極智半導體產業網（www.casmita.com）、第三代半導體產業共同主辦。
會議除開幕大會，還設置了四大平行論壇。其中“金剛石和半導體測試技術”平行論壇上，實力派嘉賓代表們深入研討，分享相關技術最新研究成果，探討發展趨勢與前沿。廈門大學副教授尹君，山東大學教授彭燕共同主持了該分論壇。
?廈門大學副教授尹君
山東大學教授彭燕
《SiC/金剛石新型散熱結構》
CVD金剛石薄膜的熱導率已接近或達到天然金剛石的水平；無需散熱裝置，減小整機體積，提供了制作超大規模集成電路的可能；成為目前用作高功率密度器件的散熱元件最理想的材料。山東大學教授彭燕做了“SiC/金剛石新型散熱結構”的主題報告，分享了新型散熱結構的最新研究進展與成果。報告指出，當前制備出高質量單晶金剛石現階段仍存在一定困難。新型材料體系：理論模擬-材料生長-超精密加工-器件制備，全套工藝流程和制備方案；解決了（1）異質界面多晶成核的問題；（2）SiC-金剛石熱學特性模擬；兼容已建立的SiC基GaN外延和器件制造技術，制備出高性能器件。
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南京大學副教授陶濤
《金剛石的高質量生長及其器件》
南京大學副教授陶濤做了“金剛石的高質量生長及其器件”的主題報告，分享了高質量金剛石材料、金剛石異質結及其器件等研究進展。涉及金剛石材料外延生長、金剛石材料拼接、金剛石材料共摻雜、金剛石多晶材料外延、金剛石終端結構與器件、金剛石異質端結構與探測等，報告指出金剛石生長向著更大尺寸、更高質量、快且平整方向發展，新結構催生新器件，新器件拓展新應用，新應用也將提出新要求。
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西安交通大學副教授王若錚
《MPCVD法生長英寸級單晶金剛石的相關機理探討》
為了發揮“終極半導體”金剛石在微波功率器件、電力電子器件、探測與傳感器等領域的巨大潛力，急需研制出大尺寸、低缺陷單晶金剛石自支撐襯底。西安交通大學副教授王若錚做了“MPCVD法生長英寸級單晶金剛石的相關機理探討”的主題報告，報告指出，目前，英寸級單晶金剛石襯底的研究主要有同質/異質外延兩條技術路線。同質外延以“二維/三維自擴張”和“馬賽克拼接”為主，多籽晶拼接后的晶體取向一致性較難調控；異質外延已經突破了2-4英寸襯底制備，但由于金剛石與異質襯底之間存在顯著的晶格失配、熱應力等，導致襯底易碎裂，此外襯底質量較同質外延仍有一定差距。報告中介紹了近年來國內外在MPCVD生長單晶金剛石的研究進展，同時介紹了其課題組在同質/異質外延方向的一些特色工作。
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國防科技大學副教授趙立山
《金剛石長晶和表面處理用MPCVD設備的若干關鍵技術問題》
金剛石生長和表面處理過程中，微波等離子體化學氣相沉積（MPCVD）設備扮演了重要角色。國防科技大學副教授趙立山做了“金剛石長晶和表面處理用MPCVD設備的若干關鍵技術問題”的主題報告，分享了相關研究進展與成果。
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中國科學院半導體研究所研究員伍紹騰
《基于異質集成晶圓鍵合技術的硅基材料與器件研究》
異質集成將不同材料組合在一起，以實現優勢互補，創造出新的功能性材料和器件，是當今半導體領域的前沿基礎研究方向之一, ?在微電子器件、光電子器件等領域具有重要的應用價值。中國科學院半導體研究所研究員伍紹騰做了“基于異質集成晶圓鍵合技術的硅基材料與器件研究”的主題報告，分享了最新研究進展與成果，涉及GeOI、GeSnOI、GaNOI等。報告顯示，國內尚未能實現6-8英寸的GeOI晶圓商業化。回國后，采用低溫晶圓鍵合法迅速實現，小尺寸及4-6英寸大尺寸GeOI晶圓的制備；但隨著晶圓尺寸增大，有效材料面積逐漸變小。2024年已實現4-6英寸完整晶圓。GeSn ?LED光源器件在2微米波段實現了8倍增強的諧振峰，未來需要加強研究實現 硅基 GeSn 電注入激光器。
布魯克高級應用工程師雷浩東
《分子光譜技術在化合物半導體研究領域的應用》
分子光譜技術在化合物半導體研究中具有廣泛應用，能夠提供關于材料結構、化學成分、光學性質和電子特性的豐富信息。這些技術在材料開發、性能優化和質量控制中發揮關鍵作用，推動了化合物半導體領域的進步和應用拓展。布魯克高級應用工程師雷浩東做了“分子光譜技術在化合物半導體研究領域的應用”的主題報告，分享了碳化硅（SiC）晶型&缺陷，摻雜劑和/或雜質、半導體材料光學透過率、外延層厚度紅外光學測試分析等研究進展。
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山東大學高級實驗師孫麗
《射線形貌技術在半導體材料中的應用》
晶體缺陷的表征和控制在半導體材料的制備和應用中至關重要。晶圓襯底缺陷的類型、大小和密度直接決定了半導體器件的性能和穩定性。線缺陷和表面缺陷的識別和判斷一直是科研人員和企業質量控制的重點和難點。應用晶體材料缺陷無損檢測技術是降低研發成本、提高研發效率的有效手段之一。山東大學高級實驗師孫麗做了“射線形貌技術在半導體材料中的應用”的主題報告，報告指出，X射線形態檢測系統可以實現半導體晶體層錯、位錯缺陷的無損表征（SF/TSD/TED/BPD等），也有利于研究晶體缺陷的變化，為改進晶體生長和外延工藝提供理論指導和數據支持。該設備理論上可以應用于所有可以滿足Bragg衍射的晶體，包括但不限于：SiC、GaN、AlN、金剛石、GaAs、InP、CdTe、Al2O3、Si、Ge、石英和其他單晶材料。報告主要闡述了XRT技術的基本原理，并展示了TSD和BPD的XRT圖像。同時，比較了XRT和傳統濕法刻蝕方法的SiC位錯缺陷分布和統計結果。
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備注：根據現場有限資料整理，僅供參考！如有出入，敬請諒解！
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