據報道，7月30日，香港科技園公司與麻省光子技術(香港)有限公司簽署合作協議，將于香港科學園內設立全香港首個第三代半導體氮化鎵外延工藝全球研發中心，并于創新園開設首條超高真空量產型氮化鎵外延片中試線，預計將在香港投資至少2億港元。此次在港設立的研發中心，將聚焦開發8寸氮化鎵外延片工藝及設備平臺，用于制作氮化鎵光電子和功率器件。設立投產后，會進行氮化鎵外延片的小批量生產。
當天的活動上，香港特區政府創新科技及工業局局長孫東、副局長張曼莉、引進重點企業辦公室副總裁(先進制造及新能源科技)王國藩等見證合作協議簽署儀式。孫東在致辭中指出，特區政府以產業導向為原則，積極推進微電子產業發展。香港微電子研發院將于今年內成立，并設立碳化硅和氮化鎵兩條中試線，協助企業進行試產、測試和認證，促進產、學、研合作。這次麻省光子技術落戶香港確切回應了發展戰略，特區政府會繼續引入更多優秀的科技企業來港發展和投資，發揮協同效應。
作為首家進駐香港的氮化鎵外延技術公司，麻省光子技術為何選擇香港?“我們希望在技術密集、人才密集以及資本密集的環境來求發展，香港非常好地滿足了這三個要素。”該公司行政總裁廖翊韜接受記者采訪時形容，香港擁有“世界頂尖的新技術孵化的環境”，對于專利技術的保護以及專利產權的稅務優惠，可以說在全世界是獨一無二的。
此外，是香港的國際化特點和人才儲備。廖翊韜說，不管最后生產的是什么類型的產品，始終要面向全球化市場。而香港在這方面擁有不可替代的優勢，因此無論是研發、產品開發和行銷等領域，公司都會特別關注香港的人才。
麻省光子技術目前在內地設有工廠。廖翊韜說，來香港投放的中試線希望能在現有量產水平基礎上進一步提升研發和中試能力，特別是結合香港微電子專家現有的技術進行聯合研發，確保在全球市場的競爭力和技術領先性。
麻省光子技術將聯合香港微電子專家開發下游的氮化鎵光電子和功率半導體器件。通過新產品的中試研發和孵化，建立前沿、完整的超高真空氮化鎵外延技術和產品專利包，目標是三年內完成中試并啟動在香港的氨化鎵外延量產產線建設，實現年產1萬片8寸氨化鎵晶圓產能，將香港制造的外延片產品推向全球市場。孫東表示，香港要因地制宜發展新質生產力，須發揮好香港的國際化優勢和雄厚的科研實力，支持優勢科技產業在港發展，而第三代半導體就是香港近年來重點發展的科技領域。氮化鎵外延工藝是發展第三代半導體的關鍵技術，能夠優化產品性能，提升穩定性，為行業帶來革命性突破。香港科技園公司行政總裁黃克強也表示，此次合作將成為香港微電子產業及新型工業化發展的重要里程碑，帶動整個第三代半導體產業鏈布局，香港微電子創科生態會更為蓬勃。
來源：微電子制造