瀚天天成“一種降低碳化硅外延片生長缺陷的方法及碳化硅襯底”專利獲授權

天眼查顯示，瀚天天成電子科技（廈門）股份有限公司近日取得一項名為“一種降低碳化硅外延片生長缺陷的方法及碳化硅襯底”的專利，授權公告號為CN113782422B，授權公告日為2024年8月13日，申請日為2020年12月28日。

本發明涉及一種降低碳化硅外延生長缺陷的方法及碳化硅襯底，所述方法包括：步驟10：碳化硅襯底的注入面表面沉積500800nm的SiO2作為掩膜層，對刻蝕窗口下掩膜層進行刻蝕，完成刻蝕后，對光刻膠進行清洗；步驟20：對上一步獲得的碳化硅襯底的所述注入面進行N元素的高溫離子注入，形成高N區域；步驟30：完成N元素的高溫離子注入后，使用酸性緩沖液進行清洗，洗去掩膜層，得到經過處理的碳化硅襯底，以其作為外延生長的基片。該方法可以阻止常規碳化硅襯底中BPD延伸擴展導致的外延生長堆垛層錯（SF）的形成，提高外延生長的質量。