12月21日，合肥新站高新區(qū)與深記設(shè)備搬運(yùn)安裝有限公司舉行項目簽約儀式。該項目占地面積58畝，總投資3億元，建成后將用于半導(dǎo)體

韓國政府決定將四大先進(jìn)產(chǎn)業(yè)（半導(dǎo)體、顯示器、二次電池和生物）的政策融資擴(kuò)大到2025年的25.5萬億韓元（約合人民幣1285億元）。

合肥喆晶睿研半導(dǎo)體科技有限公司國產(chǎn)化制造一站式良率提升實驗室平臺項目正式開工

12月19日，由南京市玄武區(qū)人民政府、電子城高科主辦，紅山新城產(chǎn)業(yè)促進(jìn)中心、電子城南京公司承辦，玻色量子、電子城集成電路服務(wù)

在智能化和AI時代，萬物互聯(lián)、萬物互控、萬物互學(xué)，顯示無處不在。作為戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)和戰(zhàn)略必爭領(lǐng)域的關(guān)鍵支撐，新型顯示材料始終占據(jù)著顯示產(chǎn)業(yè)價值鏈的高端。

歐盟委員會批準(zhǔn)了一項13億歐元的意大利補(bǔ)貼，以支持新加坡初創(chuàng)公司Silicon Box在諾瓦拉建造一個半導(dǎo)體先進(jìn)封裝和測試設(shè)施。

芯易德集成電路封裝測試產(chǎn)業(yè)園項目在望城經(jīng)開區(qū)開工

功率器件封裝生產(chǎn)基地項目首批設(shè)備正式進(jìn)場，標(biāo)志著該項目進(jìn)入投產(chǎn)前的沖刺階段。

任職時間只有近1個月時間拜登計劃對中國生產(chǎn)的成熟制程半導(dǎo)體開展不公平貿(mào)易行為調(diào)查。

國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示，上海積塔半導(dǎo)體有限公司申請一項名為檢測晶圓位置的方法、晶圓環(huán)切方法及晶圓環(huán)切裝置的專利，公開號 C

國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示，浙江睿熙科技有限公司申請一項名為VCSEL 集成晶圓及其制造方法的專利，公開號 CN 119134035 A，申請日

經(jīng)過近一年時間的醞釀籌備，中關(guān)村半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）“半導(dǎo)體激光器專業(yè)委員會“（下稱“激光器專委會”）于2024年12月18日式正式成立。

12月17日，Cree LED宣布與達(dá)科（Daktronics）簽署一項為期多年的全球?qū)＠S可協(xié)議，該協(xié)議將于2024年12月生效。Cree LED將在協(xié)議

12月18日，深圳雷曼光電科技股份有限公司（下稱雷曼光電）與成都辰顯光電有限公司（下稱辰顯光電）在成都正式簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議。

關(guān)于印發(fā)《標(biāo)準(zhǔn)提升引領(lǐng)原材料工業(yè)優(yōu)化升級行動方案（2025—2027年）》的通知

歐盟理事會首次對中國實體實施“全面制裁”，外交部：堅決反對！

南京大學(xué)在宇航用抗輻照GaN功率器件方面取得新進(jìn)展

中國氮化鎵晶圓制造商英諾賽科（02577.HK）啟動招股，并將于2024年12月23日結(jié)束招股。

“氮化鎵功率電子器件技術(shù)III”的分會上，嘉賓們齊聚，共同探討氮化鎵功率電子器件技術(shù)進(jìn)展與發(fā)展趨勢。

武漢金信新材料有限公司（以下簡稱“金信新材料”）芯片用第三代半導(dǎo)體8英寸碳化硅晶錠項目完成研發(fā)，通過了行業(yè)專家驗證