“化合物半導(dǎo)體激光器技術(shù)及應(yīng)用”分會上，嘉賓們齊聚，共同探討化合物半導(dǎo)體激光器技術(shù)及應(yīng)用進展與趨勢。

受外部客觀因素影響，公司合肥項目已停止推進。

功率半導(dǎo)體測試系統(tǒng)解決方案創(chuàng)新領(lǐng)導(dǎo)者「忱芯科技（UniSiC）」近日宣布完成2億元戰(zhàn)略融資

12月3日，中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會、中國汽車工業(yè)協(xié)會、中國通信企業(yè)協(xié)會、，中國互聯(lián)網(wǎng)協(xié)會等多個行業(yè)協(xié)會發(fā)布聲明：美國芯片產(chǎn)品不再安全、不再可靠，中國相關(guān)行業(yè)將不得不謹(jǐn)慎采購美國芯片。

商務(wù)部新聞發(fā)言人2日表示，中方注意到，美方發(fā)布了對華半導(dǎo)體出口管制措施。該措施進一步加嚴(yán)對半導(dǎo)體制造設(shè)備、存儲芯片等物項

中國光谷國際化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)博覽會（CSE2025）將于2025年4月在武漢再次啟幕

加入頂流，成為頂流——化合物半導(dǎo)體產(chǎn)/學(xué)/研/用各大領(lǐng)域邀請報告征集和邀約正式啟動！

在第十屆國際第三代半導(dǎo)體論壇&第二十一屆中國國際半導(dǎo)體照明論壇重要產(chǎn)業(yè)峰會上，眾多專家學(xué)者齊聚探討Mini/Micro-LED技術(shù)產(chǎn)業(yè)應(yīng)用最新趨勢。

“氮化鎵射頻電子器件與應(yīng)用分會”上，深圳市匯芯通信技術(shù)有限公司、國家5G中高頻器件創(chuàng)新中心副總經(jīng)理、CTO 許明偉做了“FLAB：特色射頻半導(dǎo)體的技術(shù)創(chuàng)新模式探索”的主題報告，分享了國家5G中高頻器件創(chuàng)新中心FLAB三代特色半導(dǎo)體工藝技術(shù)創(chuàng)新的新模式，包括硬件建設(shè)、軟件建設(shè)、開發(fā)體系、技術(shù)路線等。

芯航同方科技（江蘇）有限公司正式開業(yè)，標(biāo)志著芯航在半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)向高端化、國產(chǎn)化方向邁出重要一步，為京口區(qū)新材料產(chǎn)業(yè)注入更多發(fā)展動能。

盛合晶微半導(dǎo)體有限公司三維多芯片集成封裝項目J2C廠房順利封頂，工程建設(shè)邁入新階段。

半導(dǎo)體行業(yè)作為高新技術(shù)的代表，得到了國家政策的大力支持和各地政府的積極投資。

元頡新材料科技（浙江）有限公司年產(chǎn)5500噸半導(dǎo)體關(guān)鍵支撐材料項目投產(chǎn)儀式在海寧市黃灣鎮(zhèn)舉行。

期間“第三代半導(dǎo)體標(biāo)準(zhǔn)與檢測研討會”上，深圳平湖實驗室失效分析首席專家何光澤做了“面向SiC/GaN功率器件失效分析的測試技術(shù)與典型應(yīng)用”的主題報告，結(jié)合第三代半導(dǎo)體功率器件產(chǎn)業(yè)鏈與分析檢測應(yīng)用之關(guān)聯(lián)，第三代半導(dǎo)體功率器件分析流程，具體介紹了無損分析，電性失效分析 – 缺陷定位，物性失效分析–結(jié)構(gòu)與缺陷觀察等內(nèi)容。

商務(wù)部印發(fā)《支持蘇州工業(yè)園區(qū)深化開放創(chuàng)新綜合試驗的若干措施》。

2024年度中國第三代半導(dǎo)體技術(shù)十大進展的重磅揭曉，這些進展不僅代表了行業(yè)的技術(shù)前沿，也預(yù)示著產(chǎn)業(yè)發(fā)展的新方向，受到了與會代表的廣泛關(guān)注和熱烈討論。

嘉芯半導(dǎo)體控股股東萬業(yè)企業(yè)迎來戰(zhàn)略新實控人，先導(dǎo)科技集團強勢賦能半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展

“氮化鎵射頻電子器件與應(yīng)用”技術(shù)分會上，香港科技大學(xué)高通光學(xué)實驗室主任、教授、高武半導(dǎo)體（香港）有限公司創(chuàng)始人俞捷，小米通訊技術(shù)有限公司高級硬件研發(fā)工程師孫躍，中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)微電子學(xué)院教授、安徽云塔電子科技有限公司創(chuàng)始人左成杰，西安電子科技大學(xué)教授薛軍帥，深圳市匯芯通信技術(shù)有限公司、國家5G中高頻器件創(chuàng)新中心副總經(jīng)理、CTO許明偉，蘇州能訊高能半導(dǎo)體有限公司研發(fā)總監(jiān)張新川，中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所副研究員張連，九峰山實驗室熊鑫，江南大學(xué)集成電路學(xué)院博士劉濤，中國科學(xué)院微電子研究所張國祥等嘉賓們帶來精彩報告

“氮化物襯底、外延生長及其相關(guān)設(shè)備技術(shù)”分會上，中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所副研究員、中科重儀半導(dǎo)體聯(lián)合創(chuàng)始人姚威振做了”GaN基光電材料外延與MOCVD反應(yīng)腔結(jié)構(gòu)關(guān)聯(lián)性研究“的主題報告，分享了MOCVD反應(yīng)器結(jié)構(gòu)對硅基GaN生長的影響，基于模型的應(yīng)力與翹曲控制策略的研究進展與成果。

2024 年第三季度的增長率是自八年前 2016 年第三季度 11.6% 以來的季度增長率。2024 年第三季度同比增長率為 23.2%，是自 2021 年第四季度 28.3% 以來的同比增長率。