11月18-21日，IFWS2024）&SSLCHINA2024、先進(jìn)半導(dǎo)體技術(shù)應(yīng)用創(chuàng)新展（CASTAS）將在蘇州國(guó)際博覽中心舉辦。志橙半導(dǎo)體將攜多款涂層產(chǎn)品及解決方案亮相此次展會(huì)。歡迎業(yè)界同仁蒞臨A08號(hào)展位參觀交流、洽談合作。

PVT單晶生長(zhǎng)設(shè)備、HVPE單晶生長(zhǎng)設(shè)備、碳化硅高溫氧化設(shè)備11年，11款產(chǎn)品。經(jīng)過10多年的發(fā)展，山東力冠微電子裝備有限公司已成為

韓國(guó)埃珀特功率半導(dǎo)體晶圓研磨及封測(cè)項(xiàng)目簽約儀式在臨港開發(fā)區(qū)舉行

11月18-21日，第十屆國(guó)際第三代半導(dǎo)體論壇（IFWS2024）&第二十一屆中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體照明論壇（SSLCHINA2024）、先進(jìn)半導(dǎo)體技術(shù)應(yīng)用創(chuàng)新展（CASTAS）將在蘇州國(guó)際博覽中心舉辦日本理化研究所平山量子光素子研究室主任平山秀樹將出席論壇，并帶來“用于病毒滅活的藍(lán)寶石生長(zhǎng)230nm遠(yuǎn)紫外光功率模組的開發(fā)研究”的大會(huì)報(bào)告。

11月18-21日，第十屆國(guó)際第三代半導(dǎo)體論壇（IFWS2024）&第二十一屆中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體照明論壇（SSLCHINA2024）、先進(jìn)半導(dǎo)體技術(shù)應(yīng)用創(chuàng)新展（CASTAS）將在蘇州國(guó)際博覽中心舉辦。瑞典皇家科學(xué)院院士、瑞典皇家工程院院士、隆德大學(xué)教授Lars Samuelson將出席論壇，并將帶來“實(shí)現(xiàn)超小型全氮化物Micro-LED的納米級(jí)材料科學(xué)技術(shù)”的大會(huì)報(bào)告。

國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局信息顯示，杭州鎵仁半導(dǎo)體有限公司申請(qǐng)一項(xiàng)名為一種氧化鎵單晶襯底拋光片的劃片保護(hù)層結(jié)構(gòu)及其劃片方法的專利，公

晶馳機(jī)電生產(chǎn)基地項(xiàng)目總投資2億元晶馳機(jī)電是浙江大學(xué)杭州國(guó)際科創(chuàng)中心先進(jìn)半導(dǎo)體研究院孵化企業(yè)

遠(yuǎn)山半導(dǎo)體最近發(fā)布了新一代高壓氮化鎵功率器件，并在泰克先進(jìn)半導(dǎo)體實(shí)驗(yàn)室進(jìn)行了詳盡的測(cè)試

據(jù)方正微電子官微消息，10月16日，深圳方正微電子有限公司副總裁/產(chǎn)品總經(jīng)理彭建華在發(fā)言中提到，方正微電子作為第三代半導(dǎo)體領(lǐng)

華芯半導(dǎo)體科技有限公司112Gbit/s PAM4 VCSEL芯片的研發(fā)項(xiàng)目獲批立項(xiàng)。

泰國(guó)的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正在向更先進(jìn)的工藝領(lǐng)域拓展，該國(guó)首座前端晶圓廠預(yù)計(jì)最早于 2027 年投入使用。

到2025年底，韓國(guó)政府將為韓國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)提供8.8萬億韓元（當(dāng)前約457.81億元人民幣）的資金支持。

據(jù)湖州莫干山高新區(qū)官微消息，10月15日，先進(jìn)半導(dǎo)體芯片封測(cè)基地及總部項(xiàng)目簽約儀式在莫干山高新區(qū)管委會(huì)舉行。據(jù)悉，先進(jìn)半導(dǎo)體

華芯半導(dǎo)體科技有限公司112Gbit/s PAM4 VCSEL芯片的研發(fā)項(xiàng)目獲批立項(xiàng)。

泰國(guó)的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正在向更先進(jìn)的工藝領(lǐng)域拓展，該國(guó)首座前端晶圓廠預(yù)計(jì)最早于 2027 年投入使用。

到2025年底，韓國(guó)政府將為韓國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)提供8.8萬億韓元（當(dāng)前約457.81億元人民幣）的資金支持。

據(jù)湖州莫干山高新區(qū)官微消息，10月15日，先進(jìn)半導(dǎo)體芯片封測(cè)基地及總部項(xiàng)目簽約儀式在莫干山高新區(qū)管委會(huì)舉行。據(jù)悉，先進(jìn)半導(dǎo)體

11月18-21日，IFWS2024）&SSLCHINA2024、先進(jìn)半導(dǎo)體技術(shù)應(yīng)用創(chuàng)新展（CASTAS）將在蘇州國(guó)際博覽中心舉辦。鵬城半導(dǎo)將攜多款設(shè)備產(chǎn)品亮相此次展會(huì)。歡迎業(yè)界同仁蒞臨A05號(hào)展位參觀交流、洽談合作。

研究背景-Ga?O? 作為新興超寬禁帶半導(dǎo)體材料，具有約 4.9 eV 的準(zhǔn)直接帶隙，其光響應(yīng)峰值正好落在日盲紫外波段，是制備日盲紫

先進(jìn)半導(dǎo)體芯片封測(cè)基地及總部項(xiàng)目簽約儀式在莫干山高新區(qū)管委會(huì)舉。