近日，位于成都高新西區(qū)、總投資額4.7億元的微波射頻產(chǎn)業(yè)園（西區(qū)）項目啟動建設(shè)。作為成都打造微波之都的關(guān)鍵載體，該項目聚焦

5月22-24日， “2025功率半導(dǎo)體器件與集成電路會議（CSPSD 2025）”將于南京舉辦。北京國聯(lián)萬眾半導(dǎo)體科技有限公司總經(jīng)理助理王川寶將受邀出席論壇，并帶來《SiC基GaN射頻芯片與電力電子芯片技術(shù)》的大會報告，

近日，電科芯片所屬西南設(shè)計牽頭制定的國家標(biāo)準(zhǔn)《半導(dǎo)體集成電路-射頻發(fā)射器/接收器測試方法》正式實施。該標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了半導(dǎo)體集成

作為中國半導(dǎo)體測試領(lǐng)域的標(biāo)桿企業(yè)，南京派格測控科技有限公司憑借其X116射頻測試機和X540毫米波測試機兩款王牌產(chǎn)品，成為展會焦點

近日，九峰山實驗室科研團隊在全球首次實現(xiàn)8英寸硅基氮極性氮化鎵（N-polar GaNOI）高電子遷移率材料的制備。該成果將助力射頻前

國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示，北京北方華創(chuàng)微電子裝備有限公司申請一項名為工藝腔室及半導(dǎo)體工藝設(shè)備的專利，公開號 CN 119495543 A

2028 年全球移動終端射頻前端市場將達到 269 億美元，年均增長率約為 5.8%。

2024年光谷招商引資活力迸發(fā)，全年億元以上簽約項目超百個，進展如何，向光谷人報告。敏聲打造國內(nèi)射頻MEMS頭部武漢敏聲是國內(nèi)射

當(dāng)?shù)貢r間1月16日，電源、汽車和物聯(lián)網(wǎng)半導(dǎo)體領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司宣布成立一個新的業(yè)務(wù)部門，將現(xiàn)有的傳感器和射頻（R

唐晶量子化合物半導(dǎo)體外延片研發(fā)和生產(chǎn)項目將扭轉(zhuǎn)化合物半導(dǎo)體激光器外延片長期依賴進口的局面，助力下游半導(dǎo)體激光器、射頻芯片等國產(chǎn)化。

“氮化鎵射頻電子器件與應(yīng)用分會”上，深圳市匯芯通信技術(shù)有限公司、國家5G中高頻器件創(chuàng)新中心副總經(jīng)理、CTO 許明偉做了“FLAB：特色射頻半導(dǎo)體的技術(shù)創(chuàng)新模式探索”的主題報告，分享了國家5G中高頻器件創(chuàng)新中心FLAB三代特色半導(dǎo)體工藝技術(shù)創(chuàng)新的新模式，包括硬件建設(shè)、軟件建設(shè)、開發(fā)體系、技術(shù)路線等。

“氮化鎵射頻電子器件與應(yīng)用”技術(shù)分會上，香港科技大學(xué)高通光學(xué)實驗室主任、教授、高武半導(dǎo)體（香港）有限公司創(chuàng)始人俞捷，小米通訊技術(shù)有限公司高級硬件研發(fā)工程師孫躍，中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)微電子學(xué)院教授、安徽云塔電子科技有限公司創(chuàng)始人左成杰，西安電子科技大學(xué)教授薛軍帥，深圳市匯芯通信技術(shù)有限公司、國家5G中高頻器件創(chuàng)新中心副總經(jīng)理、CTO許明偉，蘇州能訊高能半導(dǎo)體有限公司研發(fā)總監(jiān)張新川，中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所副研究員張連，九峰山實驗室熊鑫，江南大學(xué)集成電路學(xué)院博士劉濤，中國科學(xué)院微電子研究所張國祥等嘉賓們帶來精彩報告

西安電子科技大學(xué)副校長、教授張進成將出席論壇，并將帶來《高功率寬禁帶半導(dǎo)體射頻器件研究進展》的大會報告。

作為IFWS的重要技術(shù)分會之一的“ 氮化鎵射頻電子器件與應(yīng)用”分會最新報告日程正式出爐！

作為IFWS的重要分會之一的“ 氮化鎵射頻電子器件與應(yīng)用”分會最新報告日程正式出爐，將有來自將有香港科技大學(xué)高通光學(xué)實驗室、高武半導(dǎo)體，小米通訊技術(shù)，匯芯通信/國家5G中高頻器件創(chuàng)新中心，中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)、云塔電子，能訊高能半導(dǎo)體，中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所，九峰山實驗室，江南大學(xué)，中國科學(xué)院微電子研究所的專家們分享精彩主題報告。

據(jù)云塔科技消息，1月15日，中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)微電子學(xué)院孫海定教授牽頭的國家重點研發(fā)計劃戰(zhàn)略性科技創(chuàng)新合作重點專項基于第三代

2023年11月28日，第九屆國際第三代半導(dǎo)體論壇（IFWS）第二十屆中國國際半導(dǎo)體照明論壇（SSLCHINA）于廈門國際會議中心盛大開幕。

氮化鎵（GaN）功率器件具有高擊穿場強、高熱導(dǎo)率、低導(dǎo)通和開關(guān)損耗、射頻功率放大器、直流至直流（DC-DC）變換器、薄膜和二維Ga

近日，中國科學(xué)院上海微系統(tǒng)所魏星研究員團隊在300 mm SOI晶圓制造技術(shù)方面取得突破性進展，制備出了國內(nèi)第一片300 mm射頻（RF）

隨著硅半導(dǎo)體材料主導(dǎo)的摩爾定律逐漸走向其物理極限，以第三代半導(dǎo)體為代表的化合物半導(dǎo)體滿足光電子、微波射頻和高效功率電子等