第九屆國(guó)際第三代半導(dǎo)體論壇（IFWS）第二十屆中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體照明論壇（SSLCHINA）將于2023年11月27-30日在廈門國(guó)際會(huì)議中心召開

半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)獲悉：11月9日，廣東致能科技有限公司（以下簡(jiǎn)稱致能科技）完成首個(gè)1200V D-Mode高可靠性氮化鎵平臺(tái)。在滿足1200V系

1月13日，工業(yè)和信息化部辦公廳 住房和城鄉(xiāng)建設(shè)部辦公廳 交通運(yùn)輸部辦公廳 農(nóng)業(yè)農(nóng)村部辦公廳 國(guó)家能源局綜合司關(guān)于開展第四批智

半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng) 2023年11月10日，溫州芯生代科技有限公司在2023世界青年科學(xué)家峰會(huì)上隆重發(fā)布了面向高電壓大電流HEMT功率器件應(yīng)用

11月9日消息，技術(shù)密集型的華為又帶來(lái)了全新的震撼新品，全新一代DriveONE 800V高壓碳化硅黃金動(dòng)力平臺(tái)。其首發(fā)了行業(yè)內(nèi)量產(chǎn)最高

2023年11月27-30日，第九屆國(guó)際第三代半導(dǎo)體論壇（IFWS）第二十屆中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體照明論壇（SSLCHINA）將于廈門國(guó)際會(huì)議中心召開

隨著5G、碳中和、AI時(shí)代的來(lái)臨，芯片市場(chǎng)需求激增，以砷化鎵（GaAs）、氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）等為代表的化合物半導(dǎo)體市場(chǎng)

當(dāng)前第三代半導(dǎo)體繼往開來(lái)進(jìn)入新的發(fā)展階段，人工智能、數(shù)字信息時(shí)代將為產(chǎn)業(yè)發(fā)展帶來(lái)動(dòng)態(tài)且多樣復(fù)雜的機(jī)遇和挑戰(zhàn)。新科技時(shí)代背

日前，半導(dǎo)體設(shè)備制造企業(yè)特思迪完成B輪融資，本輪由臨芯投資領(lǐng)投，北京市高精尖基金、尚頎資本、中金啟辰、優(yōu)山資本、芯微投資

半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)消息 第九屆國(guó)際第三代半導(dǎo)體論壇（IFWS）第二十屆中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體照明論壇（SSLCHINA）將于2023年11月27-30日在廈門

敢字為先，謀封測(cè)產(chǎn)業(yè)新發(fā)展。第21屆中國(guó)半導(dǎo)體封裝測(cè)試技術(shù)與市場(chǎng)年會(huì)于10月26日在江蘇昆山盛大開幕。中國(guó)科學(xué)院院士、國(guó)家自然

半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)是現(xiàn)代信息社會(huì)的基石，是支撐當(dāng)前經(jīng)濟(jì)社會(huì)發(fā)展和保障國(guó)家安全的戰(zhàn)略性、基礎(chǔ)性和先導(dǎo)性的產(chǎn)業(yè)。在中美貿(mào)易摩擦和市場(chǎng)

近日，中國(guó)科學(xué)院上海微系統(tǒng)所魏星研究員團(tuán)隊(duì)在300 mm SOI晶圓制造技術(shù)方面取得突破性進(jìn)展，制備出了國(guó)內(nèi)第一片300 mm射頻（RF）

近日，中國(guó)電科54所成功研發(fā)PCIe（一種高速串行計(jì)算機(jī)擴(kuò)展總線標(biāo)準(zhǔn)）轉(zhuǎn)SRIO（一種串行高速互連協(xié)議）橋接芯片。該芯片采用全正向

半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)消息 第九屆國(guó)際第三代半導(dǎo)體論壇（IFWS）第二十屆中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體照明論壇（SSLCHINA）將于2023年11月27-30日在廈門

半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)消息 第九屆國(guó)際第三代半導(dǎo)體論壇（IFWS）第二十屆中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體照明論壇（SSLCHINA）將于2023年11月27-30日在廈門

第九屆國(guó)際第三代半導(dǎo)體論壇（IFWS）&第二十屆中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體照明論壇（SSLCHINA）將于2023年11月27-30日于廈門國(guó)際會(huì)議中心召開。目前論壇征文活動(dòng)進(jìn)入尾聲階段，論文擴(kuò)展摘要&全文提交將于10月20日截至。請(qǐng)有意愿投稿者務(wù)必盡早提交。

香港科技園公司與微電子企業(yè)杰平方半導(dǎo)體簽署合作備忘錄 共同推動(dòng)香港微電子產(chǎn)業(yè)發(fā)展10月13日 - 由創(chuàng)新科技及工業(yè)局和引進(jìn)重點(diǎn)企

以碳化硅、氮化鎵、砷化鎵和磷化銦為代表的化合物半導(dǎo)體材料，相比第一代單質(zhì)半導(dǎo)體，在高頻性能、高溫性能方面優(yōu)異很多，發(fā)展前

以碳化硅、氮化鎵、砷化鎵和磷化銦為代表的化合物半導(dǎo)體材料，相比第一代單質(zhì)半導(dǎo)體，在高頻性能、高溫性能方面優(yōu)異很多，發(fā)展前