近日，芯塔電子自主研發(fā)的1200V/80mΩTO-263-7封裝 SiC MOSFET器件成功獲得第三方權(quán)威檢測機(jī)構(gòu)（廣電計(jì)量）全套AEC-Q101車

12月6日，博世與蘇州工業(yè)園區(qū)簽署擴(kuò)大產(chǎn)業(yè)合作協(xié)議。博世自1999年布局蘇州以來，持續(xù)加大投資力度。今年3月，博世投資10億美元在

近日，河北同光半導(dǎo)體股份有限公司（簡稱：同光股份）宣布完成F輪融資。本輪融資規(guī)模為15億元，由深創(chuàng)投制造業(yè)轉(zhuǎn)型升級新材料基

晶體管是三端電子器件，其發(fā)展的主要動力是由摩爾定律主宰的微縮技術(shù)：通過使晶體管尺寸越來越小，越來越多的晶體管可以被制造到

2023年11月28日，經(jīng)CASAS管理委員會第二屆第二次會議決議，CASAS正式成立SiC功率器件與模塊工作組、 GaN功率器件與模塊工作組。S

12月5日，華測檢測在上海浦東金橋產(chǎn)業(yè)園舉辦華測蔚思博(CTI-VESP)金橋芯片實(shí)驗(yàn)基地的開業(yè)典禮。華測檢測集團(tuán)總裁申屠獻(xiàn)忠表示，

十四五開局之始，各地方政府積極把握新時(shí)期經(jīng)濟(jì)社會發(fā)展戰(zhàn)略方向，構(gòu)建新發(fā)展格局。廣東省率先發(fā)布《廣東省制造業(yè)高質(zhì)量發(fā)展十四

材料的更替是現(xiàn)代科技進(jìn)步的根本推動力。作為第三代半導(dǎo)體材料，立方氮化硼（c-BN）具有僅次于金剛石的硬度，在高溫下良好的化學(xué)

金剛石材料因具有超寬禁帶、高載流子遷移率、高飽和漂移速度、高熱導(dǎo)率等優(yōu)異特性，被認(rèn)為是終極半導(dǎo)體材料，已成為國內(nèi)外研究熱

半導(dǎo)體材料是信息技術(shù)產(chǎn)業(yè)的基石，氧化鎵（Ga2O3）是潛力新星超寬帶隙材料，Ga2O3 是大功率、高效率、特高壓器件的理想選擇。也

高效高可靠的量子點(diǎn)白光LED封裝和熱管理對于LED照明應(yīng)用至關(guān)重要，直接影響著LED的性能、穩(wěn)定性和壽命。關(guān)于高效高可靠量子點(diǎn)白

未來顯示產(chǎn)品形態(tài)多樣，功能要求嚴(yán)格，具有高度集成潛力的Mini/Micro LED顯示技術(shù)脫穎而出。MicroLED可用作光電探測器來接收外部

Micro-LED技術(shù)應(yīng)用已從大屏顯示擴(kuò)展到微顯示，因其具有低功耗、高亮度、超高分辨率、色彩飽和度、響應(yīng)速度快、壽命長等優(yōu)勢，已

近日，第九屆國際第三代半導(dǎo)體論壇（IFWS）第二十屆中國國際半導(dǎo)體照明論壇（SSLCHINA）在廈門國際會議中心召開。期間，超寬禁帶

近日，中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)龍世兵課題組提出了一種Ga2O3光電探測器的交變柵壓調(diào)制方案，為光電探測器的研究提供了新的思路。日盲光

新華社北京12月4日電關(guān)于國家卓越工程師和國家卓越工程師團(tuán)隊(duì)擬表彰對象的公示為表彰工程技術(shù)領(lǐng)域先進(jìn)典型，激發(fā)引領(lǐng)廣大工程技

11月28日，位于海口市海南航芯高科技產(chǎn)業(yè)園的海南航芯項(xiàng)目首期竣工投產(chǎn)。這是海南發(fā)展集成電路產(chǎn)業(yè)破局性、引領(lǐng)性的引擎項(xiàng)目，標(biāo)

科技日報(bào)記者 劉垠11月28日，第九屆國際第三代半導(dǎo)體論壇第二十屆中國國際半導(dǎo)體照明論壇在廈門召開。國家新材料產(chǎn)業(yè)發(fā)展專家咨

昨日第九屆國際第三代半導(dǎo)體論壇暨第二十屆中國國際半導(dǎo)體照明論壇在廈門國際會議中心舉行論壇由廈門市人民政府、廈門大學(xué)第三代

2023年11月30日，第九屆國際第三代半導(dǎo)體論壇（IFWS）第二十屆中國國際半導(dǎo)體照明論壇（SSLCHINA）于廈門國際會議中心勝利閉幕。