近日，工信部公示首批重點培育中試平臺初步名單。人福醫(yī)藥創(chuàng)新藥中試平臺、鼎康生物重組蛋白藥物中試平臺、華中數(shù)控全國產(chǎn)化芯片和操作系統(tǒng)高檔數(shù)控系統(tǒng)中試平臺、九峰山實驗室化合物半導體中試平臺、華星光電柔性及印刷OLED 顯示中試平臺、國創(chuàng)中心數(shù)字化設(shè)計與制造中試平臺等6家光谷中試平臺入選。

日前，經(jīng)國務(wù)院同意，工業(yè)和信息化部、國家發(fā)展改革委、教育部、科技部、財政部、市場監(jiān)管總局、金融監(jiān)管總局、國家知識產(chǎn)權(quán)局、

國務(wù)院新聞辦公室于2025年5月7日上午9時舉行新聞發(fā)布會，請中國人民銀行、國家金融監(jiān)督管理總局、中國證券監(jiān)督管理委員會負責人介紹“一攬子金融政策支持穩(wěn)市場穩(wěn)預期”有關(guān)情況，并答記者問。

近期，寬禁帶半導體國家工程研究中心郝躍院士、馬曉華教授團隊在氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）領(lǐng)域取得重要突破，成

國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示，蘇州晶湛半導體有限公司申請一項名為一種發(fā)光器件的制備方法及發(fā)光器件的專利，公開號 CN 119836082 A

國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示，廣州南砂晶圓半導體技術(shù)有限公司申請一項名為一種用于PVT法生長碳化硅單晶的裝料裝置及其應(yīng)用的專利，

國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示，蘇州長光華芯光電技術(shù)股份有限公司、蘇州長光華芯半導體激光創(chuàng)新研究院有限公司取得一項名為模式調(diào)控

近日，電科芯片所屬西南設(shè)計牽頭制定的國家標準《半導體集成電路-射頻發(fā)射器/接收器測試方法》正式實施。該標準規(guī)定了半導體集成

國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示，瀚天天成電子科技（廈門）股份有限公司申請一項名為一種降低碳化硅外延薄膜表面 Bump 缺陷的方法的專利

國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示，英飛凌科技股份有限公司申請一項名為功率半導體器件和制造功率半導體器件的方法的專利，公開號 CN 1197

國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示，中芯國際集成電路制造（上海）有限公司申請一項名為半導體結(jié)構(gòu)及其形成方法的專利，公開號CN 119767774

國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示，黑龍江匯芯半導體有限公司申請一項名為一種集成有SiC功率器件短路保護的智能功率模塊的專利，公開號CN

國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示，江西譽鴻錦材料科技有限公司取得一項名為種亞垂直結(jié)構(gòu)氮化鎵肖特基勢壘二極管及其制造方法的專利，授權(quán)

國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示，蘇州無熱芯陽半導體有限公司申請一項名為一種新型襯底及其氧化物半導體場效應(yīng)晶體管的專利，公開號 CN

國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示，鎵特半導體科技（銅陵）有限公司取得一項名為一種HVPE大尺寸氮化鎵晶圓鎵舟反應(yīng)器的專利，授權(quán)公告號CN

國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示，北京天科合達半導體股份有限公司申請一項名為一種在坩堝內(nèi)部放置石墨件來提升碳化硅粉料利用率的方法的

誰能把握大數(shù)據(jù)、人工智能等新經(jīng)濟發(fā)展機遇，誰就把準了時代脈搏。國家主席習近平在金磚國家領(lǐng)導人第十四次會晤上的重要講話（20

國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示，安徽格恩半導體有限公司申請一項名為一種氮化鎵基化合物半導體激光器的專利，公開號CN 119627617 A，申

國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示，上海光通信有限公司申請一項名為半導體結(jié)構(gòu)的制備方法及半導體結(jié)構(gòu)的專利，公開號 CN 119626900 A，申

日前，國家市場監(jiān)督管理總局、國家標準化管理委員會正式發(fā)布（GB/T 44334-2024）《 埋層硅外延片》國家標準，并于2025年3月1日正